Технические характеристики транзистора КТ819Г говорят нам о том, что он позиционируется как универсальный, мощный, низкочастотный транзистор. Имеет широкое применение, зачастую используется в ОУ, усилителях низкой частоты, и других решениях. Изготавливают данный полупроводник по эпитаксиально-планарной технологии на кремниевой основе со структурой n-p-n.
Цоколевка
Рекомендуется перед монтажом КТ819Г изучить цоколевку. Она представлена на рисунке ниже под габаритным чертежом в левой части. Изготавливается транзистор в пластмассовом корпусе с гибкими ножками КТ-28 (ТО-220). В этой упаковке его вес не должен превышать 2,5 г.
Существует также транзистор КТ819ГМ, который изготавливают в металлостеклянной оболочке с жёсткими выводами. Его общий не более 20 г. С расположением и назначением выводов и геометрическими размерами можно ознакомиться по картинке, расположенной выше в правой её части.
Технические характеристики
Предельно допустимые параметры являются важными при поиске альтернативы для вышедшего из строя прибора или при проектировании нового изделия. Нужно помнить, что транзистор может сломаться даже при непродолжительном превышении максимальных значений. Для КТ819Г они равны:
- Постоянное напряжение между К-Э (предел) (при сопротивлении База – Эмиттер равном RБЭ ≤ 1 кОм, температуре окружающей среды ТК = 323 К) – 100 В;
- Напряжение между Базой и Эмиттером(предел постоянного действующего U) – 5 В;
- наибольший ток через протекающий через коллектор на протяжении длительного времени – 10 А (в металлическом корпусе, транзистор КТ819ГМ – 15 А);
- максимальный импульсный (кратковременный) ток через коллектор ( при длительности импульса до 10 мс) – 15 А (для КТ819ГМ – 20 А);
- предельный постоянный ток протекающий через базу (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 3 А;
- I (импульсный) через базу (длительность импульса до 10 мс.) предел – 5 А;
- Мощность, которая может рассеиваться на коллекторе при предельных режимах (при температуре окружающей среды ТК до 298 К) – с теплоотводом 60 Вт (для КТ819ГМ – 100 Вт), без теплоотвода 1,5 Вт (для КТ819ГМ – 2 Вт);
- наибольшая температура кристалла – 398 К.
Электрические параметры показывают функциональные возможности изделия. В таблице расположенной ниже находятся их значения при температуре +25 ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
Граничное напряжение | Iк = 100 мA | UКЭО гр | 80 | 110 | В |
Напряжение насыщения перехода К-Э | IК = 5 A, IБ = 0,5 A
IК = 15 A, IБ = 3 A |
UКЭ нас | 2
4 |
В
В |
|
Напряжение насыщения перехода Б-Э | IК = 5 A, IБ = 0,5 A | UБЭ нас | 3 | В | |
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ | UКБ = 5 В, IК= 5 A,
Т = 298 К Т = 233 К |
h21Э |
12 7 |
|
|
Граничная частота к-та передачи тока в схеме с ОЭ | UКБ = 5 В, IЭ= 0,5 A | fгр | 3 | 12 | МГц |
Время включения | IК = 5 A, IБ = 0,5 A | tвкл | 2,5 | мкс | |
Емкость коллекторного перехода | UКБ = 5 В | cк | 360 | 1000 | пФ |
Обратный ток через коллектор | UКБ = 40 В | IКБО | 1 | мА |
Аналоги
При необходимости КТ819Г можно заменить на такие зарубежные аналоги транзистора с похожими техническими характеристиками: 2N5496, 2N6101, 2N6292, 2N6293, BD203, BD537, BD709, BD711, BD712, BD953, BDT95, BDV95, BDX73, BDX77, TIP41C. Прежде чем принять решение о замене КТ819Г на конкретное зарубежное изделие следует ознакомиться с техническими характеристиками обоих приборов. Также следует обратить внимание на расположение выводов на корпусе, в некоторых случаях может потребоваться доработка печатной платы.
Производители
Производство транзистора КТ819Г налажено на двух заводах. Один из которых находится на территории России – это АО «Кремний» г. Брянск. Второй в Белоруссии – это ОАО «Интеграл» г. Минск (скачать Datasheet). В магазинах можно приобрести продукцию любого из этих заводов.