По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилителях и коммутационных схемах. Они изготовлены по мезапланарной технологии и имеют структуру p-n-p. Эти изделия являются составными и сделаны по схеме Дарлингтона, поэтому имеют большой коэффициент усиления по току.
Цоколевка
Распиновку транзистора серий КТ825 и 2Т825 рассмотрим в двух корпусах в которых они выпускаются, это ТО-3, сделанном из металла и имеющем жёсткие выводы и стеклянные изоляторы. Они весят не более 20 г. Устройства, имеющие маркировку 2Т825А – 2Т825В2, изготавливаются в пластмассовой упаковке ТО-220. Их масса не превышает 2,5 г. Геометрические размеры и расположение выводов показаны на рисунке ниже.
Технические характеристики
В первую очередь нужно обратить на максимальные характеристики транзистора КТ825 :
- максимальное длительное напряжение между К-Э ( при сопротивлении Б – Э равном RБЭ = 1000 Ом или UЭБ = 1,5 В) – 100 В;
- предельно допустимое напряжение между Б-Э действующее на протяжении длительного времени – 5 В;
- наибольший возможный ток, который может проходить через коллектор постоянно – 20 А;
- максимально допустимый кратковременный ток протекающий через коллектор – 40 А;
- наибольший возможный длительно протекающий ток базы – 0,5 А;
- предельно допустимая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при температуре окружающей среды +25ОС:
- с теплоотводом – 125 Вт;
- без теплоотвода – 3 Вт;
- максимальная температура кристалла — +175 ОС;
- рабочая температура от -60 до +125 ОС.
Следующими по важности являются электрические параметры. В таблице приведённой ниже находятся их значения, измеренные при температуре +25 ОС. Другие условия, при которых производилось тестирование, можно найти в столбце, который называется «Режимы измерения».
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Статический коэффициент передачи тока для устройства, включённого по схеме с ОЭ | UКБ = 10 В, IЭ= 10 A
Т = ТК макс ТК = — 60ОС UКБ = 10 В, IЭ= 20 A |
h21Э | 500
400 100 100 |
18000
25000 18000
|
|
| Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала | UКБ = 3 В, IЭ= 10 A f = 5кГц | h21э | 430 | 60000 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока для транзистора, включённого по схеме с ОЭ | UКБ = 3 В, IЭ= 10 A | fгр | 4 | МГц | |
| Граничное напряжение | IЭ= 100 мA | 80 | В | ||
| Напряжение насыщения перехода коллектор эмиттер | IК = 10 A, IБ = 40 мA
IК = 20 A, IБ = 200 мA |
UКЭ нас |
|
2
3 |
В
В |
| Напряжение насыщения перехода база эмиттер | IК = 10 A, IБ = 40 A
IК = 20 A, IБ = 200 A |
UБЭ нас |
|
3
4 |
В
В |
| Пробивное напряжение коллектор эмиттер | UЭБ = 1,5 В, IК= 1 мA
Т = Тмакс , IК= 2 мA ТК = — 60ОС, IК= 5 мA |
UКЭО проб. | 100
80 100 |
В
В В |
|
| Время включения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвкл | 1 | мкс | |
| Время выключения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвыкл | 3 | 4,5 | мкс |
| Емкость коллекторного перехода | UКБ = 10 В | cк | 350 | 600 | пФ |
| Емкость эмиттерного перехода | UЭБ = 5 В | cк | 450 | 350 | пФ |
Содержание драгметаллов
Согласно справочнику «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий» г. Красноярск: ИПК «Платина», 1999 г, в транзисторах серии КТ825 содержатся следующие драгметаллы:
- 0,01 г золота;
- 0,095 г серебра.
Аналоги
Транзистора с полностью идентичными характеристиками нет, однако в некоторых случаях КТ825 можно заменить на аналоги:
- TIP147;
- 2N6052;
- MJ11013;
- MJ11015.
При этом нужно внимательно изучить схему, в которой он работает, режимы работы и только после этого принимать решение.
Так как КТ825 является составным можно спаять схему, которая бы смогла его заменить. Предлагаемая конструкция довольно проста и не содержит дефицитных деталей.
Производители
Изготовлением транзистора занимается всего одно предприятие. Это отечественное акционерное общество «Кремний» г. Брянск. В продаже существуют только изделия данной компании.
