Характеристики транзистора КТ825Г

Характеристики транзистора КТ825Г позволяют использовать его в схемах переключения и различных усилителях. Его структура p-n-p. Изготавливается как и все устройство данной серии по мезапланарной технологии с структурой p-n-p. Отличается большим коэффициентом усиления тока, так как изготавливается по схеме Дарлингтона, то есть являются составными.

Распиновка

Цоколевку КТ825Г приведём в корпусе ТО-3 в котором он и изготавливается. Она имеет жёсткие выводы и стеклянные изоляторы. Его масса не должна быть больше 20 г. Габариты и схема приведены на рисунке расположенном ниже.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики КТ825Г это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия. Приведём эти характеристики:

• рабочая температура окружающей среды от -40 до +100 ^ОС;
• наибольший возможный импульсный (протекающий в течении короткого промежутка времени) ток через коллектор – 40 А;
• максимально возможное постоянное (действующее на протяжении длительного времени) напряжение между базой и эмиттером – 5 В;
• максимальный постоянный ток протекающий через базу – 0,5 А;
• максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при температуре окружающей среды +25^ОС:
  • с теплоотводом – 125 Вт;
  • без теплоотвода – 3 Вт;
• допустимая температура n-p перехода (кристалла) — +175 ^ОС;
• предельно допустимые постоянный (длительный) ток через коллектор – 20 А;
• постоянное напряжение между коллектором и эмиттером ( при сопротивлении Б – Э равном R_БЭ = 1000 Ом или U_ЭБ = 1,5 В) не должно быть больше – 90 В.

Помимо выше указанных параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25 ^ОС. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Коэффициент передачи тока для изделий, включённых по схеме с ОЭ	UКБ = 10 В, IЭ= 10 A Т = ТК макс UКБ = 10 В, IЭ= 20 A	h21Э	750 600 100	18000 25000
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала	UКБ = 3 В, IЭ= 10 A f = 5кГц	h21э	430	60000
Граничная частота коэффициента передачи тока для транзистора, включённого по схеме с ОЭ	UКБ = 3 В, IЭ= 10 A	fгр		4	МГц
Граничное напряжение	IЭ= 100 мA		70		В
Напряжение насыщения перехода К-Э	IК = 10 A, IБ = 40 мA IК = 20 A, IБ = 200 мA	UКЭ нас		2 3	В В
Напряжение насыщения перехода Б-Э	IК = 10 A, IБ = 40 A IК = 20 A, IБ = 200 A	UБЭ нас		3 4	В В
Пробивное напряжение перехода К-Э	UЭБ = 1,5 В, IК= 1 мA Т = Тмакс , IК= 2 мA	UКЭО проб.	90 80		В В
Пробивное напряжение перехода Э-Б	IЭБ о= 2 мA	UКЭО проб	5		В
Время включения	IК= 10 A, IБ = 40 мA	tвкл		1	мкс
Время выключения	IК= 10 A, IБ = 40 мA	tвыкл	3	4,5	мкс
Ёмкость коллекторного перехода	UКБ = 10 В	cк	350	600	пФ
Ёмкость эмиттерного перехода	UЭБ = 5 В	cк	450	350	пФ

Содержание драгметаллов в транзисторе КТ825Г:

• 0,01 г золото;
• 0,095 г серебро.

Данные взяты из справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий» г. Красноярск: ИПК «Платина», 1999 г

Аналоги

При необходимости транзистор КТ825Г можно заменить такими зарубежными аналогами:

• BDX88C;
• BDX66A;
• BDX64A;
• BDX86C;
• 2N6287;
• BDX64B;
• 2N6286;
• 2N6052;
• BDX66B;
• 2N6051;
• BDX88B;
• MJ2501;
• MJ4032.

В любом случае до того как принять решение нужно изучить схему, в которой работает транзистор и его режим работы и только после этого его можно менять.

Так как КТ825Г изготовлен по схеме Дарлингтона, можно собрать схему, которая бы его заменила. Данная конструкция проста и в ней не используются дефицитные детали. Для ее сборки потребуются два транзистора и два диода.

Производители

Транзистор КТ825Г выпускает всего одно предприятие. Это АО «Кремний» г. Брянск. Соответственно в магазинах можно приобрести продукцию только этого завода.