В описании технических характеристик на транзисторы КТ827А указано, что они используются в УНЧ, различных стабилизаторах, как тока, так и напряжения, импульсных усилителях мощности, в ключевых схемах и системах автоматики. Этот составной транзистор, сделанный по схеме Дарлингтона, имеет структуру n-p-n. Компонент изготавливается по эпитаксиальной и мезапланарной технологии.
Цоколевка
Самая полезная информация, которую можно увидеть в цоколевке на КТ827А, да и вообще на транзисторы — это расположение ножек, т.к. если этого не знать, можно запутаться и припаять на место эммитера базу, а на место базы коллектор. Поверьте, ничего хорошего из этого не выйдет. Поэтому на рисунке ниже показаны данные параметры, а так же габаритные размеры. Транзисторы серии КТ827 изготавливаются в металлическом корпусе, имеющем стеклянные изоляторы и жёсткие выводы. Маркировка наносится сверху. Масса прибора не более 20 г. 2Т827А-5 производится на пластине для гибридных ИС с контактными площадками.
Технические характеристики
Первое, на что стоит обратить внимание при подборе транзистора для замены или проектировании новой схемы, это предельные эксплуатационные данные. Превышение их недопустимо даже в течение небольших промежутков времени. Также устройство не сможет долго функционировать при значениях параметров равных максимальным. Для КТ827А эти характеристики равны:
- наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном RБЭ = 1000 Ом) – 100 В;
- максимально возможное напряжение (действующее постоянно или длительное время) между К-Э – 100 В;
- предельное импульсное напряжение действующее между К-Э (при tФ = 0,2 мкс) – 100 В;
- наибольшее возможное постоянно действующее напряжение между Э — Б – 5 В;
- максимально допустимый ток через коллектора (действующий на протяжении длительного времени) – 20 А;
- наибольший кратковременный ток через коллектора – 40 А;
- максимальный длительный ток через базу – 0,5 А;
- предельно допустимый кратковременный ток через базу – 0,8 А;
- максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при (ТК = -60 … +25ОС) – 125 Вт;
- тепловое сопротивление между переходом и корпусом – 1,4 ОС /Вт;
- наибольшая возможная температура перехода – +200ОС;
- рабочий диапазон температур окружающего воздуха – -60 … +100ОС.
При конструировании схем кроме максимальных значений следует также обращать внимание на электрические параметры. Из таблицы, которая находится ниже по тексту, можно узнать их основные величины. Условия тестирования приведены в столбце под названием «Режимы измерения». Наибольшие и наименьшие значения, полученные во время измерения, находятся в колонках «min» и «max».
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Статический к-т передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером | UКЭ = 3 В, IК= 10 A, ТК = 25ОС
Т = ТК макс ТК = — 60ОС UКЭ = 3 В, IК= 20 A |
h21Э | 750
750 100 100 |
6000
3500 |
|
| Граничная частота к-та передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером | UКЭ = 3 В, IК= 10 A | fгр | 4 | МГц | |
| Напряжение насыщения перехода К-Э | IК = 10 A, IБ = 40 мA
IК = 20 A, IБ = 200 мA |
UКЭ нас | 1
1,8 |
2
3 |
В
В |
| Напряжение насыщения перехода Б-Э | IК = 20 A, IБ = 200 мA | UБЭ нас | 2,6 | 4 | В |
| Входное напряжение Б-Э | IК= 10 A, UКЭ = 3 В | 1,6 | 2,8 | В | |
| Время включения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвкл | 0,3 | 1 | мкс |
| Время выключения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвыкл | 3 | 6 | мкс |
| Время рассасывания | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tрас | 2 | 4,5 | мкс |
| Обратный ток К-Э, | UКЭ = UКЭ макс RБЭ = 1000 Ом
Т = +25 и — 60ОС Т = ТК макс |
IКЭO |
|
3 5 |
мА мА |
| Обратный ток через эмиттер | UЭБ = 5 В | IЭБО | 2 | мА | |
| Емкость коллекторного перехода | UКБ = 10 В | cк | 200 | 400 | пФ |
| Емкость эмиттерного перехода | UЭБ = 5 В | cк | 160 | 350 | пФ |
Содержание драгоценных металлов
Многие радиоэлектронные компоненты содержат некоторое количество драгметаллов, таких как золото, платина, серебро и т.д. Это делает их объектом охоты для индивидуальных скупщиков и скупающих компаний. Транзистор КТ827А не является исключением, он содержит золото. Согласно этикетке на изделие, представленной ниже, в 1000 штук содержится 19,090г. благородного металла. В пересчёте на 1 шт. получается 0,01909г.
Аналоги
Аналога транзистора КТ827А, полностью идентичного и по своим параметрам, по типу корпуса и расположению выводов не существует. Однако можно попробовать использовать вместо него такие устройства: 2N6059, 2N6284, BDX63, BDX65A, BDX67, BDX87C, MJ3521, MJ4035. Тем не менее данную замену следует делать осторожно, и предварительно сравнить предъявляемые к изделию требования с техническими характеристиками кандидата на замену. Так как КТ827А является составным, можно попытаться спаять эквивалентную схему, как на рисунке ниже.
Производители
Выпуском транзисторов КТ827А занимаются две страны Белоруссия и Россия. В Белоруссии их производят на акционерном обществе «Интеграл» г. Минск. В России их выпускает АО «Элиз» г. Фрязино. В Российских магазинах можно приобрести продукцию обоих фирм. (Скачать Datasheet можно кликнув на названии производителя, так же технические параметры приведены еще здесь).
