Биполярный кремниевый транзистор MJE13003 по своим характеристикам может применяться в импульсных регуляторах, инверторах, системах управления электрическими двигателями. Он разработан для работы в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных цепях, где важно время спада. Также он способен работать в схемах управляющих работой устройств большой мощности в качестве переключателей. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии и имеет структуру n-p-n.
Цоколевка
Цоколевку транзистора MJE13003 разберём в двух корпусах в которых он производится, это ТО-126 и ТО-220. Если смотреть на него со стороны маркировки, то его выводы будут располагаться в таком порядке: база, коллектор, эмиттер. Следует учесть также что многие производители не наносят первые буквы MJE, которые говорят о том, что первым производителем этого транзистора была компания Motorola. И таким образом остаётся только надпись 13003.
Технические характеристики
В первую очередь следует рассмотреть максимально допустимые параметры устройства. Их превышение недопустимо даже на непродолжительный промежуток времени. Перейдём к рассмотрению этих характеристик для 13003:
- напряжение К-Э (длительное) VCЕO (SUS) = 400 В;
- напряжение К-Э (пиковое) VCEV = 700 В;
- напряжение Э-Б VEBO = 9 В;
- ток коллектора (длительный) IC = 1,5 А;
- ток коллектора (кратковременный) ICМ = 3 А;
- ток через базу (длительный) IВ = 0,75 А;
- ток через базу (кратковременный) IВМ = 1,5 А;
- ток через эмиттер (длительный) IЕ = 2,25 А;
- ток через эмиттер (кратковременный) IЕМ = 4,5 А;
- мощность на коллекторе (без теплоотвода) РС = 1,4 Вт;
- мощность на коллекторе (с теплоотводом) РС = 40 Вт;
- термосопротивление кристалл-корпус RθJC = 3,12 °С/Вт;
- термосопротивление кристалл-воздух RθJА = 89 °С/Вт;
- рабочие т-ры Tstg = от -65 до 150ОС.
Не стоит также забывать и об электрических характеристиках. Именно от них зависят возможности транзистора. Они снимаются при температуре +25ОС. Другие, важные для тестирования параметры, приведены в таблице в отдельной колонке, которая называется «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора MJE13003 (при Т = +25 оC) | |||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм | |
| Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = 10 мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 400 | В | |||
| Обратный ток коллектор-эмиттер | VBE = 1,5 В | ICEV | 1 | мА | |||
| VBE = 1,5 В, TC = 100°C | 5 | ||||||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | |||
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = 2 В, IC= 0.5 A
VCE = 2 В, IC = 1 A |
hFE1
hFE2 |
8
5 |
40
25 |
|||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | IB = 0,1 B, IC = 0,5 A
IB = 0,25 B, IC = 1 A IB=0,25B, IC=1 A Tc=100℃ |
V ВE(sat) | 1
1,2 1,1 |
В
В В |
|||
| Время закрытия | IC = 1 A, VCC = 125 В | tF | 2 | 4 | мкс | ||
| Время рассасывания. | tS | 0,4 | 0,7 | мкс | |||
Аналоги
Похожих по характеристикам транзисторов не очень много, назовём несколько зарубежных:
- 2SC4917;
- MJ4360;
- BUJ101.
Существуют также российские аналоги MJE13003:
- КТ8137А;
- КТ8170А1;
- КТ8175А.
При этом следует учитывать, что все перечисленные устройства не являются полными аналогами, поэтому, перед заменой, следует обратиться к технической документации.
Производители
Среди производителей отметим самых крупных:
- First Silicon;
- Shenzhen SI Semiconductors;
- Savantic;
- Tiger Electronic;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- Nanjing International Group;
- Shenzhen hui lida electronic.
Если вы хотите приобрести MJE13003, то в отечественных магазинах можно найти продукцию таких фирм:
- ON Semiconductor;
- KEC(Korea Electronics);
- Continental Device India Limited;
- Micro Commercial Components;
- Wing Shing Computer Components.
Скачать datasheet можно кликнув на название производителя.
