Как пишут производители в технических характеристиках на биполярный транзистор MJE13009, но разрабатывался для установки в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных схемах в качестве переключателя нагрузки. Они подходят для импульсных инверторов и устройств управления электрическими двигателями.
Цоколевка
Наибольшее распространение получил транзистор MJE13009 в корпусе ТО-220, но иногда используется упаковка ТО-3PN. В обеих случаях выводы расположены в следующем порядке: база, коллектор, эмиттер. Иногда при нанесении маркировки первые три буквы упускают и нанося только цифры 13009, цоколевка и внешний вид представлен на следующем рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение характеристик транзистора начнём с предельно допустимых параметров. Они показывают максимальные возможности MJE13009. Их измерение производилось при стандартной температуре – +25°С.
- Структура- NPN
- напряжение К-Э (постоянный) VCЕO (SUS) = 400 В;
- напряжение К-Э (импульсный) VCEV = 700 В;
- напряжение Э-Б VEBO = 9 В;
- ток коллектора (постоянный) IC = 12 А;
- ток коллектора (импульсный) ICМ = 24 А;
- ток через базу (постоянный) IВ = 6 А;
- ток через базу (импульсный) IВМ = 12 А;
- ток через эмиттер (постоянный) IЕ = 18 А;
- ток через эмиттер (импульсный) IЕМ = 36 А;
- мощность на коллекторе (без теплоотвода) РС = 2 Вт;
- мощность на коллекторе (с теплоотводом) РС = 100 Вт;
- термосопротивление кристалл-корпус RθJC = 1,25 °С/Вт;
- термосопротивление кристалл-воздух RθJА = 62,5 °С/Вт;
- рабочие т-ры Tstg (TJ) = от -65 до +150ОС.
После максимальных, перейдём к рассмотрению электрических характеристик. От них также зависят возможности транзистора, снимаются они при температуре +25°C. Остальные параметры можно посмотреть в колонке «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора MJE13009 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = 10 мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 400 | В | ||
| Обратный ток коллектор-эмиттер | VBE = 1,5 В | ICEV | 1 | мА | ||
| VBE = 1,5 В, TC = 100°C | 5 | |||||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | ||
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = 2 В, IC= 0.5 A
VCE = 2 В, IC = 1 A |
hFE1
hFE2 |
8
6 |
40
30 |
||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IB = 1 А, IC = 5 A
IB = 1,6 А, IC = 8 A IB = 3 B, IC = 12 A IB= 1,6 B, IC=8 A Tc=100℃ |
VСE(sat) | 1
1,5 3 2 |
В
В В В |
||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | IB = 1 А, IC = 5 A
IB = 1,6 А, IC = 8 A IB=1,6 B, IC=8 A, Tc=100℃ |
VСE(sat) | 1,2
1,6 1,5 |
В
В В |
||
| Время задержки | IC = 8 A, VCC = 125 В | td | 0,06 | 0,1 | мкс | |
| Время нарастания | tr | 0,45 | 1 | мкс | ||
| Время закрытия | tf | 0,2 | 0,7 | мкс | ||
| Время рассасывания | tS | 1,3 | 3 | мкс | ||
| Выходная емкость | VCB=10В, IE=0, f= 0,1 МГц | Cob | 180 | пФ | ||
Аналоги
Полных аналогов для транзистора 13009 нет. Но при необходимости можно заменить на следующие устройства:
- BUJ106A;
- D209L;
- 2SC2335;
- BUT12A.
Существуют также отечественные приборы с похожими параметрам:
- КТ8138И;
- КТ8209А;
- КТ8260А.
Перед тем, как выбрать замену, нужно посмотреть технические характеристики.
Производители
Перечислим крупнейшие фирмы, занимающиеся выпуском MJE13009 и приведём их datasheet:
- Motorola;
- ARTSCHIP ELECTRONICS;
- KEC(Korea Electronics);
- Unisonic Technologies;
- Tiger Electronic;
- Shenzhen SI Semiconductors;
- Savantic;
- Mospec Semiconductor;
- Central Semiconductor;
- New Jersey Semi-Conductor Products.
В России можно купить транзисторы, изготовленные следующими компаниями:
