Характеристики транзистора S8050

По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.

Цоколевка

S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.

S8050 цоколевка

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25ОС, вот они:

  • напряжение между К-Б VCBO (Uкб max) — 40 В;
  • напряжение между К-Э VCEO (Uкэ max) — 25 В;
  • напряжение между Э-Б VEBO (Uэб max) — 5 В;
  • ток через коллектор IC (Iк max)
  • в корпусе SOT-23 IC (Iк max) – 500 мА;
  • в корпусе ТО-92 IC (Iк max) – 700 мА.
  • мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
  • в корпусе SOT-23 Рк 300 мВт;
  • в корпусе ТО-92 1 Вт
  • допустимая температура кристалла +150 ОС;
  • рабочая температура от -55 до +150 ОС.

Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25ОС. Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора S8050 (при Т = +25 оC)
Название параметра Условия измерения Обоз мин тип мах Ед. изм
Пробивная разность потенциалов К-Б IC = 100мкA, IЕ = 0В V(BR)CВO 40 В
Пробивная разность потенциалов К-Э IC=10мA, IВ= 0 В V(BR)CEО 25 В
Пробивная разность потенциалов Э-Б IВ= 0 В, IC= 0 В V(BR)EBO 5 В
Ток К-Б (обратный) V= 40В, IЕ = 0 ICВO 0,1 мкА
Ток К-Э (обратный) VCE= 20В, IВ= 0 ICEО 0,1 мкА
Ток через эмиттер (обратный) VEB = 6В, IC = 0 IEBO 0,1 мкА
Статический к-т усиления тока VCE=1 В,IC= 50 мA

VCE=1 В, IC=500 мA

hFE1

hFE2

120

50

 

 

350
Напряжение насыщения К-Э IC= 500мA, IB = 50мA V CE(sat) 0,6 В
Напряжение насыщения Б-Э IC= 500мA, IB = 50мA V ВE(sat) 1,2 В
Граничная частота к-та передачи тока VCE=6 В, IC= 20 мA, f=30 МГц fT 150 МГц

В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:

  • L от 120 до 200;
  • H от 200 до 350;
  • J от 300 до 400.

Аналоги

  • Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
  • Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
  • Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.

Производители

Перечислим производителей S8050:

В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:

Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector