Характеристики транзистора S8050

По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.

Цоколевка

S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25^ОС, вот они:

• напряжение между К-Б V_CBO (U_{кб max}) — 40 В;
• напряжение между К-Э V_CEO (U_{кэ max}) — 25 В;
• напряжение между Э-Б V_EBO (U_{эб max}) — 5 В;
• ток через коллектор I_C (I_{к max})
• в корпусе SOT-23 I_C (I_{к max}) – 500 мА;
• в корпусе ТО-92 I_C (I_{к max}) – 700 мА.
• мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
• в корпусе SOT-23 Р_к 300 мВт;
• в корпусе ТО-92 1 Вт
• допустимая температура кристалла +150 ^ОС;
• рабочая температура от -55 до +150 ^ОС.

Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25^ОС. Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора S8050 (при Т = +25 оC)
Название параметра	Условия измерения	Обоз	мин	тип	мах	Ед. изм
Пробивная разность потенциалов К-Б	IC = 100мкA, IЕ = 0В	V(BR)CВO	40			В
Пробивная разность потенциалов К-Э	IC=10мA, IВ= 0 В	V(BR)CEО	25			В
Пробивная разность потенциалов Э-Б	IВ= 0 В, IC= 0 В	V(BR)EBO	5			В
Ток К-Б (обратный)	VCВ= 40В, IЕ = 0	ICВO			0,1	мкА
Ток К-Э (обратный)	VCE= 20В, IВ= 0	ICEО			0,1	мкА
Ток через эмиттер (обратный)	VEB = 6В, IC = 0	IEBO			0,1	мкА
Статический к-т усиления тока	VCE=1 В,IC= 50 мA VCE=1 В, IC=500 мA	hFE1 hFE2	120 50		350
Напряжение насыщения К-Э	IC= 500мA, IB = 50мA	V CE(sat)			0,6	В
Напряжение насыщения Б-Э	IC= 500мA, IB = 50мA	V ВE(sat)			1,2	В
Граничная частота к-та передачи тока	VCE=6 В, IC= 20 мA, f=30 МГц	fT	150			МГц

В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:

• L от 120 до 200;
• H от 200 до 350;
• J от 300 до 400.

Аналоги

• Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
• Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
• Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.

Производители

Перечислим производителей S8050:

• Daya Electric;
• Diode Semiconductor Korea;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
• Shenzhen Yixinwei Technology;
• SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY;
• SUNMATE electronic;
• Tiger Electronic;
• Unisonic Technologies;
• Weitron Technology;
• Wing Shing Computer Components.

В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
• Nanjing International;
• SeCoS Halbleitertechnologie.

Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.