Характеристики и аналоги транзистора S8550

S8550 этот усилительный кремниевый транзистор применяется для обеспечения усиления и коммутации. Производиться в корпусе из пластика (TO-92). Оснащён гибкими выводами в исполнении smd или по другому SOT-23.

Отличается от прочих устройств техническими характеристиками:

  • рассеиваемая мощность при температуре внешней среды в + 25 градусов по Цельсию составляет — 0.625 Вт;
  • ток коллектора равен – 0,5 А;
  • показатель напряжения коллектора-база составляет 40 В.

Распиновка

Цоколевка s8550

Цоколевка корпуса (To-92) этого транзистора имеет следующий вид:

  • база – осуществляет смещение транзистора, применяться для управления процессами, осуществления выключения и включения;
  • эмиттер – ток идёт при нормальном подключении к заземлению через излучатель;
  • коллектор – ток идёт при нормальном подключении к нагрузке через коллектор.

Основные характеристики s8550

п/п

Параметр/транзистор S8550B, 40 S8550С,40 S8550D,40
1 Uкбо(и),В 25 25 25
2 Pкmax(т), Вт 0.625 0.625 0.625
3 Iкmax(и), А 0,5 0,5 0,5
4 h21э 85-160 120-200 160-300
5 fгр., МГц 150 150 150

 Расшифровка указанных в таблице обозначений:

  1. Uкбо(и)— наибольшее напряжение на связке база-коллектор;
  2. Uкэо(и)– допустимое напряжение в соединении эмиттер-коллектор;
  3. Iкmax(и)— максимальный импульсный постоянный ток коллектора;
  4. Pкmax(т)– максимальная  постоянная рассеиваемая мощность коллектора как с теплоотводом так и без него;
  5. hfe— соотношение усиления транзистора по току;
    fгр – предельное значение коэффициента частоты передачи тока.

Приставка «и» в скобках указывает на импульсный характер токов.

Электрические характеристики (TA = 25 ° C, если не указано иное)

Отражают токовые характеристики функционирования устройства, при которых оно будет работать в нормальном режиме.

Параметры Условное обозначение Условия испытаний Мин Тип Макс Унит
Напряжение пробоя коллектор-база BVCBO IC =-100μA, IE =0 -30 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер BVCEO IC =-1mA, IB =0 -20 V
Напряжение пробоя эмиттер-база BVEBO I IE =-100μA, IC =0 -5 V
Ток отключения коллектора ICBO VCB =-30V, IE =0 -1 μA
Ток отключения эмиттера IEBO VEB =-5V, IC =0 -100 nA
Коэффициент усиления постоянного тока hFE1 VCE =-1V, IC =-1mA 100
hFE2 VCE =-1V, IC =-150mA 120 400
hFE3 VCE =-1V, IC =-500mA 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(SAT) IC =-500mA, IB =-50mA -0.5 V
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(SAT) IC =500mA, IB =-50mA -1.2 V
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE VCE =-1V, IC =-10mA -1.0 V
Продукт с коэффициентом усиления по текущему каналу fT VCE =-10V, IC =-50mA 100 MHz
Выходная емкость Cob 9.0 pF

Тепловые характеристики

Обозначают термические условия функционирования устройства, при которых оно не будет подвержено деформациям и его работа не измениться.

Уровень перехода TJ 150 °C
Уровень хранения TSTG -65 ~ +150 °C

Аналоги

Российских аналогов s8550 отыскать не удалось, но заменить его можно зарубежными транзисторами:

  • S8050;
  • MPS750;
  • 2SA1943;
  • KSA708;
  • 2N3906;
  • BD140.

Производители

Выпускают его ниже указанные компании:

  • YANGJIE TECHNOLOGY (Китай);
  • KEC (Южная Корея);
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd. (Китай).
Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector