Характеристики и аналоги транзистора S8550

S8550 этот усилительный кремниевый транзистор применяется для обеспечения усиления и коммутации. Производиться в корпусе из пластика (TO-92). Оснащён гибкими выводами в исполнении smd или по другому SOT-23.

Отличается от прочих устройств техническими характеристиками:

• рассеиваемая мощность при температуре внешней среды в + 25 градусов по Цельсию составляет — 0.625 Вт;
• ток коллектора равен – 0,5 А;
• показатель напряжения коллектора-база составляет 40 В.

Распиновка

Цоколевка корпуса (To-92) этого транзистора имеет следующий вид:

• база – осуществляет смещение транзистора, применяться для управления процессами, осуществления выключения и включения;
• эмиттер – ток идёт при нормальном подключении к заземлению через излучатель;
• коллектор – ток идёт при нормальном подключении к нагрузке через коллектор.

Основные характеристики s8550

№ п/п	Параметр/транзистор	S8550B, 40	S8550С,40	S8550D,40
1	Uкбо(и),В	25	25	25
2	Pкmax(т), Вт	0.625	0.625	0.625
3	Iкmax(и), А	0,5	0,5	0,5
4	h21э	85-160	120-200	160-300
5	fгр., МГц	150	150	150

 Расшифровка указанных в таблице обозначений:

1. Uкбо(и)— наибольшее напряжение на связке база-коллектор;
2. Uкэо(и)– допустимое напряжение в соединении эмиттер-коллектор;
3. Iкmax(и)— максимальный импульсный постоянный ток коллектора;
4. Pкmax(т)– максимальная  постоянная рассеиваемая мощность коллектора как с теплоотводом так и без него;
5. h_fe— соотношение усиления транзистора по току;
   fгр – предельное значение коэффициента частоты передачи тока.

Приставка «и» в скобках указывает на импульсный характер токов.

Электрические характеристики (TA = 25 ° C, если не указано иное)

Отражают токовые характеристики функционирования устройства, при которых оно будет работать в нормальном режиме.

Параметры	Условное обозначение	Условия испытаний	Мин	Тип	Макс	Унит
Напряжение пробоя коллектор-база	BVCBO	IC =-100μA, IE =0	-30			V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	BVCEO	IC =-1mA, IB =0	-20			V
Напряжение пробоя эмиттер-база	BVEBO I	IE =-100μA, IC =0	-5			V
Ток отключения коллектора	ICBO	VCB =-30V, IE =0			-1	μA
Ток отключения эмиттера	IEBO	VEB =-5V, IC =0			-100	nA
Коэффициент усиления постоянного тока	hFE1	VCE =-1V, IC =-1mA	100
	hFE2	VCE =-1V, IC =-150mA	120		400
	hFE3	VCE =-1V, IC =-500mA	40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE(SAT)	IC =-500mA, IB =-50mA			-0.5	V
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE(SAT)	IC =500mA, IB =-50mA			-1.2	V
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE	VCE =-1V, IC =-10mA			-1.0	V
Продукт с коэффициентом усиления по текущему каналу	fT	VCE =-10V, IC =-50mA	100			MHz
Выходная емкость	Cob			9.0		pF

Тепловые характеристики

Обозначают термические условия функционирования устройства, при которых оно не будет подвержено деформациям и его работа не измениться.

Уровень перехода	TJ	150	°C
Уровень хранения	TSTG	-65 ~ +150	°C

Аналоги

Российских аналогов s8550 отыскать не удалось, но заменить его можно зарубежными транзисторами:

• S8050;
• MPS750;
• 2SA1943;
• KSA708;
• 2N3906;
• BD140.

Производители

Выпускают его ниже указанные компании:

• YANGJIE TECHNOLOGY (Китай);
• KEC (Южная Корея);
• Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd. (Китай).