Все технические характеристики на транзистор S9012 которые тут указаны, взяты из официальных datasheet, все файлы на них мы прикрепили вконец статьи.
Чаще всего s9012 используется в предварительных каскадах, иногда его устанавливают на выходе маломощных усилителей. Производится по эпитаксиально-планарной технологии, благодаря чему у него неплохая линейность к-та передачи тока hfe, кроме этого он может выдержать большой коллекторные ток (до 500 мА). Имеет p-n-p структуру.
Цоколевка
При производстве S9012 используются корпуса двух типов: ТО-92 и SOT-23 для навесного. В корпусе SMD он маркируется 2Т1. На рисунке вы можете посмотреть как он выглядит и расположение ножек для обеих типов корпусов.
Технические характеристики
Максимально допустимые х-ки – это то, на что требуется обращать внимание при выборе транзистора. Если они будут выше допустимых, то устройство может выйти из строя, поэтому, при проектировании нового устройства рабочие параметры подбирают таким образом, чтобы они были на примерно 20% ниже допустимых.
Для S9012 предельные характеристики равны:
- разность потенциалов К-Б Uкб макс = -40 В;
- разность потенциалов К-Э Uкэ макс = -25 В;
- разность потенциалов Э-Б Uэб макс = -5 В;
- ток через коллектор Iк макс = -500 мА;
- мощность Рк макс:
- в ТО-92 – 625 мВт;
- в SOT-23 – 300 мВт.
- т-ра кристалла – 150ОС;
- диапазон т-р хранения Tstg = -55 … 150ОС.
В технической документации некоторых фирм значения напряжения К-Э отличаются от приведённых выше. Например, Nanjing International указывает его равным 30 В, а Tiger – 20 В.
| Электрические характеристики S9012 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Параметры измерения | Обозначение. | min | typ | max | Еденицы. изм |
| Пробивная разность потенциалов К — Б | IC = -100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -40 | В | ||
| Пробивная разность потенциалов К — Э | IC=-0,1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -25 | В | ||
| Пробивная разность потенциалов Э — Б | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 | В | ||
| Обратный ток К-Б | VCВ= -40 В, IЕ = 0 | ICВO | -0,1 | мкА | ||
| Обратный ток К-Э | VCЕ= -20 В, IВ = 0 | ICЕO | -0,1 | мкА | ||
| Обратный ток Э | VEB = -5 В, IC = 0 | IEBO | -0,1 | мкА | ||
| Разность потенциалов (нас) К — Э | IC= -500 мA, IB = -50 мA | V CE(sat) | -0,6 | В | ||
| Разность потенциалов (нас) Б — Э | IC= -500 мA, IB = -50 мA | V ВE(sat) | -1,2 | В | ||
| Граничная частота усиления | VCE =-5 В, IC =-20 мA | fT | 150 | МГц | ||
| Выходная емкость | VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц | Cob | 5 | пФ | ||
Рассмотрим зависимость к-та усиления S9012 по току, при случае, когда он включён по схеме с общим эмиттером (hfe). График, представленный на рисунке ниже снят при постоянном напряжении между коллектором и эмиттером -1 В. При этом разметка обеих шкал произведена в логарифмическом масштабе.
Из него мы видим, что на промежутке от -10 до -100 мА величина hfe остаётся постоянной, а после этого начинает уменьшаться.
Аналоги
Приведём похожие зарубежные аналоги для S9012:
- 2SA708;
- KSP56;
- MPS3702;
- KSP92;
- MPSW51;
- MPSA92.
Также для замены можно взять отечественные КТ681А. Комплементарная пара S9013.
Производители
Перечислим наиболее крупных производителей транзистора S9012 и приложим их datasheet:
- Fairchild;
- Daya;
- Nanjing;
- Diode Korea;
- SHIKE;
- Jiangsu High diode;
- Galaxy Semi-Conductor;
- GUANGDONG HOTTECH;
- Shenzhen Jin Yu;
- SHENZHEN SLS;
- SeCoS;
- SHIKE.
В российских магазинах обычно встречается продукция этих фирм:
