По свои характеристикам транзистор S9014 отлично подходит для использования в предварительных каскадах усилителей низкой частоты. Отличается от других биполярных транзисторов низким уровнем шумов. Его структура n-p-n
Цоколевка
Он выпускается в корпусах двух типов: ТО-92 (может использоваться для дырочного монтажа) и SOT-23 (для навесного). Во втором исполнении маркируется буквами J6, которые наносятся сверху. Ознакомиться с расположением выводов и внешним видом устройств можно по рисунку.
Технические характеристики
Максимально допустимые характеристики S9018 это то, на что нужно обратить внимание при подборе транзистора для замены. Их превышение и эксплуатация на предельных рабочих режимах в течении длительного времени может стать причиной поломке изделия. Приведём данные характеристики:
- напряжение К-Б: VCBO = 50 В;
- напряжение К-Э: VCEO = 45 В;
- напряжение Э-Б: VEBO = 5 В;
- ток коллектора IC = 100 мА;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе
- в корпусе ТО-92: РС = 450 мВт;
- в корпусе SOT-23: РС = 200 мВт.
- температура кристалла: Tj = 150°С;
- диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.
Теперь займёмся рассмотрением электрических параметров. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора. Стандартная температура тестирования +25°С. Другие важные параметры измерения можно найти в столбце «Условия измерения» следующей таблицы.
| Электрические характеристики транзистора S9014 (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Условия измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Напряжение К-Б, необходимое для пробоя | IC = 100мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 50 | В | |
| Напряжение К-Э, необходимое для пробоя | IC=0,1мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 45 | В | |
| Напряжение Э-Б, необходимое для пробоя | IE= 100мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | 5 | В | |
| Обратный ток коллектора | VCВО= 50 В, IЕ = 0 | ICВO | 0,1 | мкА | |
| Обратный ток К-Э | VCEО=35В, IB = 0 | ICEО | 1 | мкА | |
| Обратный ток эмиттера | VEBО = 3В, IC = 0 | IEBO | 0,1 | мкА | |
| Статический к-т усиления в схеме с ОЭ | VCE=5В,IC= 1мA | hFE | 60 | 1000 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=100мA, IB=5мA | V CE(sat) | 0,3 | В | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | IC=100мA, IB=5мA | V ВE(sat) | 1 | В | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5В, IC= 10мA,
f = 30 МГц |
fT | 150 | МГц | |
Производители делят S9014 в корпусе ТО-92, в зависимости от величины статического к-та усиления, на четыре категории:
- A от 60 до 150;
- B от 100 до 300;
- C от 200 до 600;
- D от 400 до 1000.
Для транзисторов в SOT-23 существует две категории:
- L от 200 до 450;
- H от 450 до 1000;
Аналоги
При необходимости S9014 можно заменить на такие зарубежные транзисторы: KSP42, KSP43, BC547, KTC9014, BC141, MPSA42, MPSA43, BC550, MPSW05, MPSW06, 2SC2240, MPSW42. Существую также российские аналоги – это КТ3102 и КТ6111. В зависимости от коэффициента усиления их рекомендуется менять:
- S9014А на КТ3102А и КТ6111А;
- S9014В на КТ3102Б и КТ6111Б;
- S9014С на КТ3102В и КТ6111В;
- S9014D на КТ3102Г и КТ6111Г.
В качестве дополняющего транзистора (комплементарной пары) используется S9015.
Производители
Основные производители S9014 и их datasheet:
- Galaxy Semi-Conductor Holdings;
- DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
- Shenzhen Jin Yu Semiconductor;
- Weitron Technology;
- Jiangsu High diode Semiconductor;
- GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
- Diode Semiconductor Korea;
- Tiger Electronic;
- SHIKUES Electronics.
На отечественном рынке можно встретить транзисторы следующих компаний:
- ON Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
- Dc Components;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology.
