Согласно заявленным техническим характеристикам транзистор SS8550 предназначен для использования в выходных усилителях мощностью до 2 Вт, работающих в двухтактном режиме В класса. Также может использоваться в переключательных и других схемах общего применения. Биполярный, кремниевый p-n-p структуры.
Цоколевка
Различные производители выпускают SS8550 в пластиковом корпусе ТО-92, а также в упаковке для навесного SOT-23, которые маркируется как «Y2». Если разместить устройство в ТО-92 так, чтобы надпись была на передней стороне, а ножки смотрели вниз, то выводы будут расположены в следующем порядке: самая левая – эмиттер, средняя – база, а правая коллектор. Назначение ножек и геометрические размеры можно увидеть на рисунке.
Технические характеристики
При выборе кандидата на замену вышедшему из строя транзистору нужно, в первую очередь, смотреть на максимально допустимые характеристики. Ведь если на устройство подать ток или напряжение превышающее предельно допустимое, то оно выйдет из строя. Также на надёжность и время жизни отрицательно скажется длительная эксплуатация с параметрами близкими к указанным. Они измеряются при температуре +25°С.
Максимальные характеристики SS8550:
- напряжение К-Б: VCBO = -40 В;
- напряжение К-Э: VCEO = -25 В;
- напряжение Э-Б: VEBO = -5 В;
- ток коллектора IC = -1,5 А;
- ток базы IВ = -500 мА;
- мощность, на коллекторе:
- в корпусе ТО-92: РС = 1 Вт;
- в корпусе SOT-23: РС = 300 мВт.
- к-т уменьшения мощности при росте температуры:
- в корпусе ТО-92: 5 мВт/°С;
- в корпусе SOT-23: 2,8 мВт/°С.
- тепловое сопротивление от кристалла к корпусу 83,3 °С/Вт;
- т-ра кристалла: Tj = 150°С;
- диапазон т-р хранения и работы: Tstg = -55 … 150°С.
Электрические характеристики также необходимо учитывать, так как от них зависит сфера применения и функциональные возможности. На результаты измерения этих параметров могут оказать влияние условия проведения тестирования. Температура при этом равна +25°С, о остальные значения приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Режимы тестирования».
| Электрические параметры SS8550 (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Режимы тест. | Обозн. | мин | макс | Ед. изм |
| Пробойная разность потенциалов между К – Б | IC = -100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -40 | В | |
| Пробойная разность потенциалов между К — Э | IC = -0,1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -25 | В | |
| Пробойная разность потенциалов между Э — Б | IE= -100 мA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 | В | |
| Напряжение К-Э в режиме насыщения | IC=-0,8 A, IB=-80мA | VCE(sat) | -0,5 | В | |
| Напряжение Б-Э в режиме насыщения | IC=-0,8 A, IB=-80мA | V ВE(sat) | -1,2 | В | |
| Ток К – Б | VCВ = -40 В, IЕ = 0 | ICВO | -0,1 | нА | |
| Ток К – Э | VCВ = -20 В, IВ = 0 | ICЕO | -0,1 | нА | |
| Ток Э –Б | VEB = -5 В, IC = 0 | IEBO | -0,1 | нА | |
| К-т усиления тока | VCE=-1 В,IC= -0,1 A | hFE | 120 | 400 | |
| VCE=-1 В,IC= -0,8 A | 40 | ||||
| Граничная частота | VCE=-10В,IC=-50мA, f=30 МГц | fT | 100 | МГц | |
Кроме этого SS8550 делятся на такие группы, в зависимости от усилительных возможностей:
- B – hfe = от 85 до 160;
- C – hfe = от 120 до 200;
- D – hfe = от 160 до 300;
- E – hfe = от 300 до 400.
Аналоги
Перечислим основные зарубежные аналоги SS8550:
- MPS750;
- MPS751;
- MPS8550.
Из отечественных транзисторов, идентичных по параметрам, можно использовать КТ6127В и транзисторы серии КТ6115. В качестве комплементарной пары для SS8550 можно использовать устройство SS8050.
Производители
Назовём основные зарубежные фирмы, занимающиеся выпуском SS8550:
- Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
- SeCoS Halbleitertechnologie;
- Jiangsu High diode Semiconductor;
- Diode Semiconductor Korea;
- First Silicon;
- Daya Electric Group;
- Tiger Electronic;
- Microdiode Electronics (Jiangsu);
- Dc Components;
- SHENZHEN SLS TECHNOLOGY.
На отечественный рынок рассматриваемый транзистор поставляют такие компании:
