Характеристики транзистора TIP142

Транзистор TIP142 представляют собой комплементарный силовой кремниевый транзистор, сделанный по схеме Дарлингтона. Их изготавливают по эпитаксиальной технологии. Используют для усилителей общего назначения и устройств с низкой скоростью переключения, в которых требуется высокий коэффициент усиления.

Цоколевка

Изготавливают TIP142 в похожих корпусах: TO-218 и TO-3P. Во всех случаях ножки расположены одинаково. Если расположить транзистор так, чтобы смотреть прямо на маркировку, а ножки при этом должны смотреть вниз, то самая левая ножка будет базой, средняя коллектором, а самая правая – это эмиттер. Внешний вид и расположение ножек представлены на рисунке.

Технические характеристики

Теперь ознакомимся с максимально допустимыми характеристиками TIP142. Все производители приводят их в начале разработанной ими технической документации. Так как они считаются наиболее важными, ведь они влияют на рабочие параметры, при которых можно эксплуатировать устройство. Если они выйдут за границы, транзистор выйдет из строя. Их определяют при температуре +25°С.

Для TIP142 эти характеристики равны:

  • напряжение К-Э не больше VCEO = 100 В;
  • напряжение К-Б не больше VCB = 100 В;
  • напряжение Э-Б не больше VEB = 5 В;
  • ток коллектора не больше IC = 10 А;
  • импульсный ток коллектора не больше ICP = 15 А;
  • ток базы не больше IB = 0,5 А;
  • мощность, рассеиваемая на коллекторе PD = 125 Вт;
  • термическое сопротивление кристалл – корпус 1,0 °С/Вт;
  • термическое сопротивление корпус – окружающая среда 35,7 °С/Вт;
  • температура кристалла не более – 150°C;
  • диапазон рабочих температур: -65°C … +150°C.

После этого требуется рассмотреть электрические параметры. На них также нужно обращать внимание, так как именно от них зависят возможности транзистора и сфера их применения. На результаты тестирования влияют условия измерения. Важнейшим из них является температура, она стандартная +25°С. Остальные параметры тестирования можно найти в отдельной колонке, «Режимы измерения».

 

Электрические характеристики т-ра TIP142 (при Т = +25 оC)

Параметры

Режимы измерения

Обозн.

min

typ

max

Ед. изм

Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута

IC = 30 мA, IB = 0

VCEO(sus)

100

 

 

В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 5 A, IB = 10 мA

V CE(sat)

 

 

2,0

В

IC = 10 A, IB = 40 мA

 

 

3,0

B

Напряжение база-эмиттер

VCE = 4 B, IC = 10 A

V ВE(sat)

 

 

2,0

В

Обратный ток коллектора

V = 100 В, IE = 0

ICBO

 

 

1

мА

Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута

VCE = 50 В, IB = 0

ICEO

 

 

2

мА

Обратный ток эмиттера

VEB = 5 В, IC = 0

IEBO

 

 

2

мА

Статический к-т передачи тока

VCE = -3В, IC= 0.5A

hFE1

1000

 

 

 

VCE = -3В, IC = -3A

hFE2

500

 

 

Время задержки

VCC = 30 B, IC = 5 A,

IB =20 мA, IB1 = IB2

td

 

0,15

 

мкс

Время нарастания

tr

 

0,55

 

мкс

Время хранения

tstg

 

2,5

 

мкс

Время отключения

tf

 

2,5

 

мкс

Аналоги

При поиске транзисторов на замену следует обратить внимание на следующее зарубежное устройство, похожее по параметрам на TIP142 – BDV65. Отечественных аналогов рассматриваемого устройства не существует. Для TIP142 существует комплементарная пара, — это TIP147.

Производители и Datasheet

Основными производителями TIP142 являются следующие компании:

В отечественных магазинах можно приобрести изделия нижеперечисленных компаний:

Скачать datasheet от каждого можно кликнув на название производителя TIP142.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector