Характеристики транзистора TIP35C

Технические характеристики биполярного транзистора TIP35C позволяют использовать его в усилителях и коммутационных устройствах. Данный полупроводник изготавливают по планарной технологии. Структура компонента n-p-n.

Цоколевка

Очень важной, но в то же время простой информацией, которую необходимо знать о транзисторе TIP35C является распиновка. Когда параметры подобраны и очередь дошла до монтажа, то в первую очередь смотрят на расположение ножек. Если посмотреть на приведённое изображение, то  они обозначены цифрами 1, 2 и 3 и одинаковы для транзисторов двух типов корпусов ТО-218 и ТО-3Р, которые кстати имеют между собой мало различий.

Технические характеристики

В конце статьи будут ссылки на скачивание Datasheet tip35c на от разных производителей, а пока рассмотрим некоторые параметры более подробно. Важными характеристиками транзистора являются максимальные значения, именно их производители приводят в своей документации первыми. При их превышении изделие выйдет из строя. Не допускается также длительная эксплуатация устройства, когда значения рабочих характеристик близки к предельно допустимым. Испытания производят при температуре окружающей среды равной +25^ОС.

• Предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (I_CP) I_CP = 50 А;
• Диапазон температур при которых может храниться изделие Т_STG = -65 … +150 ^оC.
• предельно допустимое напряжение К-Б (при I_E= 0) не должно быть больше V_CBO = 100 В;
• наибольшее возможное напряжение Э-Б (при I_В= 0) V_EBO = 5 В;
• максимально допустимый постоянный ток коллектора не более I_C = 25 А;
• Наибольший возможный ток, протекающий через базу I_B = 5 А;
• максимальное напряжение К-Э (при I_В= 0) должно быть менее V_CEO = -100 В;
• Предельно возможная мощность (при температуре корпуса T_C = 25 ^оC) P_tot = 125 Вт;
• Наибольшая возможная температура перехода T_J = 150 ^оC;

При подборе транзистора кроме максимальных, следует также учитывать и электрические характеристики. Их тестирование происходит также при температуре +25^оC. Немаловажные условия для определения параметров значения указываются в столбце «Режимы измерения».

Параметры	Режимы (условия) измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута	IC = 30мA, IB = 0	VCEO(sus)	100		В
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута	VCE = 60В, IB = 0	ICEO		1	мА
Обратный ток коллектор-эмиттер	VВE = 0В	ICES		0,7	мА
Обратный ток эмиттера	VEB = 5В, IC = 0	IEBO		1	мА
Статический коэффициент передачи постоянного тока	VCE = 4 В, Ico= 1,5 A VCE = 4 В, Ico = 15 A	hFE hFE2	25 10	50
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=10В,IC= 1 A	fT	3,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC = 15A, IB = 1,5 A IC = 25A, IB = 5 A	V CE(sat)		1,8 4	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VCE = 4 V, IC = 15 A VCE = 4 V, IC = 25 A	V ВE(sat)		2 4	В
Коэфф-нт передачи тока при небольшом сигнале (статический)	IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц	hfe	25
Граничная частота коэффициента передачи тока	IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц	fт	3		МГц

Аналоги

Полными аналогом TIP35C можно назвать такие транзисторы:

• 2SD1049;
• EP2189;
• BD249;
• BD249C;
• 2SD1046;
• ECG392.

Они идентичны по электрическим параметрам и функционалу. А ещё вы не перепутаете контакты при пайке, потому что распиновка у этих приборов аналогичная. Комплиментарная пара для данного триода — это TIP36C.

Производители

Среди производителей транзистора TIP35C  в основном зарубежные фирмы. Например такие как:

• Unisonic Technologies
• STMicroelectronics
• Power Innovations
• KEC
• ON Semiconductor
• Inchange Semiconductor
• Motorola
• Multicomp PRO

В отечественных магазинах можно его встретить следующих компаниями: ST Microelectronics, Inchange, ON Semiconductor, Multicomp PRO, Unisonic Technologies.