В данной статье все технические характеристики транзистора tip41c взяты с их официальных datasheet (их можно скачать в конце) от производителей. Он имеет структуру n-p-n и изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии. Чаще всего его устанавливают в усилителях и переключающих схемах, в которых требуется высокая скорость переключения. Кроме этого он может использоваться в выходных каскадах УНЧ относящихся к Hi-Fi классу.
Цоколевка
Все производители выпускают TIP41C в корпусе ТО-220 или его разновидностях, например, TO-220AB, TO-220C, TO-220F. Если смотреть прямо на маркировку, то ножки будут расположены слева на право в следующем порядке: база, коллектор, эмиттер. Если радиатор транзистора сделан их металла, то он подключён к коллектору. Если корпус полностью пластиковый (например, TO-220F), то, естественно, такое соединение отсутствует.
Технические характеристики
Рассмотрим предельно допустимые характеристики TIP41C, которые производители размещают в начале своей технической документации. Они важны, так как от них зависит, при каких рабочих параметрах будет работать транзистор, а при их превышении он может выйти из строя. Для рассматриваемого устройства, при температуре 25°С, они равны:
- напряжение К-Б не больше – 100 В;
- напряжение К-Э не больше – 100 В;
- напряжение Э-Б не больше – 5 В;
- ток коллектора не больше – 6 А;
- импульсный ток коллектора не больше – 10 a
- ток базы не больше – 2 А;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе с теплоотводом– 65 Вт;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе без теплоотвода– 2 Вт;
- температура кристалла не более – 150°C;
- Диапазон рабочих температур: -65°C … +150°C.
Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров TIP41C. От них зависит, для чего можно использовать транзистор. При их измерении важную роль играют условия тестирования, поэтому они были вынесены в отдельную колонку таблицы. Температура, при которых производились измерения, стандартная +25°С.
| Электрические характеристики транзистора TIP41C (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = -100мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 120 | В | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута | VCE = -50В, IB = 0 | ICEO | -2 | мА | |
| Обратный ток коллектора | VCВ=-60В, IE=0 | ICBO | -1 | мА | |
| Обратный ток эмиттера | VEB = -5В, IC = 0 | IEBO | -2 | мА | |
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = -3В, IC= 0.5A
VCE = -3В, IC = -3A |
hFE1
hFE2 |
1000
1000 |
75 |
|
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=10В,IC= 500мA | fT | 3,0 | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 6A,
IB = 600мA |
V CE(sat) | 1,5 | В | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | VCE = 4V, IC = 6A | V ВE(sat) | 2,0 | В | |
| Статический коэффициент передачи тока | IC = 0,5A, VCE=10В, f=1кГц | hfe | 20 | ||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | IC=0.5A, VCE=10В, | fт | 3 | МГц | |
При проектировании мощных устройств, которые выделяют большое количество тепла, нужно знать тепловые характеристики транзистора. Они характеризуют способность рассеивать энергию в окружающую среду. Чем быстрее они её выделяют тем меньше будет греться TIP41C и тем в более мощных схемах его можно будет устанавливать.
| Тепловые характеристики транзистора TIP41C | |||
| Параметры | Обозн. | max | Ед. изм |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус | Rthj—case | 1,92 | ОС/Вт |
| Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда | Rthj-amb | 62,5 | ОС/Вт |
Аналоги
При необходимости TIP41C можно заменить на:
- BD711,
- BD911,
- 2N6123,
- 2N6288,
- 2N6290,
- 2N6292.
Отечественными аналогами являются КТ819Г и КТ8212А. Комплементарная пара для TIP41C – это TIP42C.
Производители
Назовём самых крупных производителей транзистора TIP41C и приведём их datasheet.
Этих почти нет в Российских магазинах:
- Dc Components,
- Micro Commercial Components,
- Savantic,
- Tiger Electronic,
- Unisonic Technologies,
- Weitron Technology.
Эти можно часто встретить в отечественных магазинах:
