Характеристики транзистора TIP41C

В данной статье все технические характеристики транзистора tip41c взяты с их официальных datasheet (их можно скачать в конце) от производителей. Он имеет структуру n-p-n и изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии. Чаще всего его устанавливают в усилителях и переключающих схемах, в которых требуется высокая скорость переключения. Кроме этого он может использоваться в выходных каскадах УНЧ относящихся к Hi-Fi классу.

Цоколевка

Все производители выпускают TIP41C в корпусе ТО-220 или его разновидностях, например, TO-220AB, TO-220C, TO-220F. Если смотреть прямо на маркировку, то ножки будут расположены слева на право в следующем порядке: база, коллектор, эмиттер. Если радиатор транзистора сделан их металла, то он подключён к коллектору. Если корпус полностью пластиковый (например, TO-220F), то, естественно, такое соединение отсутствует.

TIP41C распиновка

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики TIP41C, которые производители размещают в начале своей технической документации. Они важны, так как от них зависит, при каких рабочих параметрах будет работать транзистор, а при их превышении он может выйти из строя. Для рассматриваемого устройства, при температуре 25°С, они равны:

  • напряжение К-Б не больше – 100 В;
  • напряжение К-Э не больше – 100 В;
  • напряжение Э-Б не больше – 5 В;
  • ток коллектора не больше – 6 А;
  • импульсный ток коллектора не больше – 10 a
  • ток базы не больше – 2 А;
  • мощность, рассеиваемая на коллекторе с теплоотводом– 65 Вт;
  • мощность, рассеиваемая на коллекторе без теплоотвода– 2 Вт;
  • температура кристалла не более – 150°C;
  • Диапазон рабочих температур: -65°C … +150°C.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров TIP41C. От них зависит, для чего можно использовать транзистор. При их измерении важную роль играют условия тестирования, поэтому они были вынесены в отдельную колонку таблицы. Температура, при которых производились измерения, стандартная +25°С.

Электрические характеристики транзистора TIP41C (при Т = +25 оC)
Параметры Режимы измерения Обозн. min max Ед. изм
Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута IC = -100мA, IB = 0 VCEO(sus) 120 В
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута VCE = -50В, IB = 0 ICEO -2 мА
Обратный ток коллектора V=-60В, IE=0 ICBO -1 мА
Обратный ток эмиттера VEB = -5В, IC = 0 IEBO -2 мА
Статический коэффициент передачи тока VCE = -3В, IC= 0.5A

VCE = -3В, IC = -3A

hFE1

hFE2

1000

1000

 

75

Граничная частота коэффициента передачи тока VCE=10В,IC= 500мA fT 3,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 6A,

IB = 600мA

V CE(sat) 1,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер VCE = 4V, IC = 6A V ВE(sat) 2,0 В
Статический коэффициент передачи тока IC = 0,5A, VCE=10В, f=1кГц hfe 20
Граничная частота коэффициента передачи тока IC=0.5A, VCE=10В, fт 3 МГц

При проектировании мощных устройств, которые выделяют большое количество тепла, нужно знать тепловые характеристики транзистора. Они характеризуют способность рассеивать энергию в окружающую среду. Чем быстрее они её выделяют тем меньше будет греться TIP41C и тем в более мощных схемах его можно будет устанавливать.

Тепловые характеристики транзистора TIP41C
Параметры Обозн. max Ед. изм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус Rthjcase 1,92 ОС/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда Rthj-amb 62,5 ОС/Вт

Аналоги

При необходимости TIP41C можно заменить на:

  • BD711,
  • BD911,
  • 2N6123,
  • 2N6288,
  • 2N6290,
  • 2N6292.

Отечественными аналогами являются КТ819Г и КТ8212А. Комплементарная пара для TIP41C – это TIP42C.

Производители

Назовём самых крупных производителей транзистора TIP41C и приведём их datasheet.

Этих почти нет в Российских магазинах:

Эти можно часто встретить в отечественных магазинах:

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector