В технических характеристиках (datasheet) указанно, что кремниевый транзистор A733 (2SA733) разработан для использования в усилительных и импульсных схемах. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии и имеет структура p-n-p.
Цоколевка
Чаще всего A733 можно найти в пластиковом корпусе ТО-92 для дырочного и SOT-23 для поверхностного монтажа. Иногда можно встретить в SOT-323. Транзисторы в упаковке SMD маркируются буквами «CS». Часто производители маркируют 2SA733 без двух первых букв (2S), то есть A733, расположение выводов (цоколевка) показана на рисунке.
Технические характеристики
Обычно производители начинают рассматривать технические характеристики с максимально допустимых параметров. Они были измерены при стандартной температуре окружающего воздуха +25ОС. Приведённые ниже значения не могут быть превышены при эксплуатации A733.
- напр. К-Б VCBO (Uкб max) = -60 В;
- напр. К — Э VCEO (Uкэ max) = -50 В;
- напр Э-Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
- ток коллектора IC (Iк max) = -150 мА;
- ток базы (длительный) IB (IБ max) = -50 мА;
- мощность (рассеваемая коллектором):
— в упаковке SOT-23 или SOT-323 РС (Рк max) = 250 мВт;
— в упаковке ТО-92 РС (Рк max) = 1 Вт.
- температуры хранения и работы Tstg = -40 … +150°С;
- т-ра кристалла макс. Tj = 125°С;
- рабочая т-ра TSTG = от -55 до +150°С.
При выборе устройства не следует забывать об электрических характеристиках. Значения, приведённые ниже, протестированными при температуре воздуха в лаборатории +25ОС. Остальные условия можно найти в колонке «Режимы измерения».
| Электрические характеристики A733 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напр. К — Б | IC =-100 мA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -60 | В | ||
| Пробивное напр. К — Э | IC= -10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -50 | В | ||
| Пробивное напр. Э — Б | IE = -10 мA, IC = 0 | V(BR)EВО | -5 | В | ||
| Напр. насыщения К — Э | IC=-100мA, IB=-10 мA | VCE(sat) | -0,1 | -0,3 | В | |
| Напр. Б — Э | VCE = -6 В, IC = -1 мA | VBE(on) | -0,58 | -0,62 | -0,68 | В |
| Обратный ток коллектора | VCB =-40 В, IE =0 | IСBO | -100 | нА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = -3 В, IC = 0 | IEBO | -100 | нА | ||
| К-т усиления по току | VCЕ = -6 A, IC = -1 мА | hFE1 | 90 | 600 | ||
| Граничная частота усиления | VCE = -10 В, IC= 50 мA | fT | 100 | 190 | МГц | |
| Выходная ёмкость | VCB=-10В,IE =0,f=1 МГц | Cob | 2,0 | 3,0 | пФ | |
| К-т шума | IC =-0, 1 мA, VCE =-6 В
RG =10 кОм, f=100 Гц |
NF | 4,0 | 6,0 | дБ | |
По коэффициенту усиления A733, многие производители (например, Tiger Electronic, Unisonic Technologies, Weitron Technology, Shenzhen Luguang Electronic Technology, Jiangsu Changjiang Electronics Technology), делятся на четыре группы:
- R – 90 … 180;
- Q – 135 … 270;
- P – 200 …400;
- K – 300 …600.
Есть также компании (SeCoS Halbleitertechnologie, Dc Components, Daya Electric Group), которые делят транзисторы на две категории, по к-ту усиления:
- L – 120 … 220;
- H – 220 … 475.
Аналоги
Если у вас транзистор выйдет из строя, то A733 достаточная легко заменить на аналоги:
На отечественном рынки тоже присутствуют российские устройства, которые подойдут для замены, это:
- КТ3107А;
- КТ3107Б;
- КТ3107И.
Компланарной парой для A733 является 2SC945.
Производители и datsheet
Назовём основных производителей A733 и приведём их datasheet, чтобы можно было детально изучить все данный от каждого:
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- Shenzhen Luguang Electronic Technology;
- Daya Electric Group;
- Dc Components;
- NEC;
- Guangdong Kexin Industrial;
- Tiger Electronic;
- Weitron Technology;
- SeCoS Halbleitertechnologie;
- Unisonic Technologies;
- Galaxy Semi-Conductor Holdings.
В отечественных магазинах чаще всего встречаются транзисторы таких компаний NEC, Jiangsu Changjiang Electronics Technology.
Прекрасный, очень нужный сайт, но слишком много грамматических и, к большому сожалению, технических ошибок. Невнимательность в мелочах часто ведёт к катастрофическим последствиям, и не только в электронике.
Но всё-равно, огромное спасибо, получил удовольствие от знакомства. Желаю подольше сохранять энтузиазм.