Характеристики транзистора BC327

Согласно данным от производителя, указанным в технических характеристиках, BC327 является биполярным n-p-n транзистором, сделанным по эпитаксиально-планарной технологии. Обычно его используют в выходных каскадах усилителях низкой частоты невысокой мощности. Его также можно использовать в коммутационных схемах.

Цоколевка

Цоколевку BC327 будем рассматривать в корпус ТО-92 в котором он производится. Весит не более 0,18 г. Если разместить его так, чтобы выводы смотрели вниз, а маркировка лицом к вам, то ножки будут идти в следующем порядке:

• первый слева коллектор;
• посередине база;
• в конце эмиттер.

Размеры устройства и его внешний вид приведены на следующем рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик BC327, как и все производители, начнём с максимально возможных допустимых характеристик. Их требуется знать при проектировании новых конструкций и поиске устройств для замены. Так как при превышении этих параметров выше предельных он выйдет из строя. Также недопустима длительная эксплуатация при значениях равным наибольшим возможным, так это плохо влияет на долговечность устройства. Рекомендуется работа на значениях меньших на 10 – 20%. Их измерения всегда производитятся при стандартной температуре +25°С.

Для BC327 эти характеристики равны:

• напряжение К -Э V_CEO = — 45 В;
• напряжение К — Б V_CBO = — 50 В;
• напряжение Э -Б V_EBO = — 5 В;
• ток коллектора I_C = — 500 мА;
• мощность P_C = 625 мВт;
• максимальная температура 150°С;
• диапазон температур T_STG = -55°С … +150°С.

Теперь нужно ознакомиться с электрическими х-ками BC327. Они важны, так как от них зависят его потенциальные возможности и сфера применения. Они измерены при т-ре воздуха +25°С. Другие важные параметры, при которых проводилось тестирование, можно найти в столбце «Режимы изм.».

Параметры	Режимы изм	Обозн.	мин	тип	макс	Ед. изм
Напряжение между К – Б (на пробой)	IC = -100 мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	-50			В
Напряжение между К — Э(на пробой)	IC = 10 мA, IВ= 0	V(BR)CEО	-45			В
Напряжение между Э — Б(на пробой)	IE= 10 мкA, IC= 0	V(BR)EBO	-5			В
Ток К – Б (направление обратное)	VCВ = -30 В, IЕ = 0	ICВO			-0,1	мкА
Ток К – Э (направление обратное)	VCE= -40В, IВ= 0	ICEХ			-0,2	мкА
Ток Э –Б (направление обратное)	VEB = -5 В, IC = 0	IEBO			-0,1	мкА
Коэффициент усиления	VCE=-1 В,IC=-100мA	hFE (16) hFE (25) hFE (40)	100 160 250	160 250 400	250 400 630
VCE=-1 В,IC=-300мA	hFE (16) hFE (25) hFE (40)	60 100 170	130 200 320
Напр. насыщения коллектор-эмиттер	IC = — 500 мA, IB = — 50 мA	V CE(sat)			-0,7	В
Напр. включения база-эмиттер	VCE= -1 В, IC=500мA	V ВE(on)			-1,2	В
Граничная частота к-та передачи тока	VCE=-5 В, IC= -10мA, f=100 МГц	fT		100		МГц
Выходная коллекторная ёмкость	VCВ= -10 В, IЕ= 0мA, f = 1МГц	Cob		4		пФ

Производители разделяют транзисторы BC327 на три группы, в зависимости от к-та усиления.

Обозначение	16	25	40
hFE	от 100 до 250	от 160 до 400	от 250 до 630

Аналоги

Для BC327 существуют иностранные аналоги:

• 2N3906;
• 2N4403;
• BC214.

Есть также отечественные транзисторы, с идентичными параметрами: КТ313, КТ685А. В зависимости от коэффициента усиления можно подобрать следующие отечественные устройства: КТ686А – замена для BC327-16, КТ686Б – BC327-25, КТ686В – BC327-40. Комплементарная пара для рассматриваемого устройства — BC337.

Производители

Среди множества производителей выделим наиболее крупные компании:

• Pan Jit International;
• Unisonic Technologies;
• NXP Semiconductors;
• KEC(Korea Electronics);
• Siemens Semiconductor Group;
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
• Motorola;
• NXP Semiconductors;
• First Silicon;
• Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

Изделия следующих фирм представлены на отечественном рынке радиоэлектронных компонентов:

• Fairchild Semiconductor;
• Diotec Semiconductor;
• ON Semiconductor;
• SEMTECH ELECTRONICS;
• Dc Components.

Скачать datasheet на BC327 от каждого производителя можно в следующем разделе.