Все технические характеристики на транзистор C4106 в этом тексте взяты из официальных datasheet (их мы прикрепили в конце статьи). Данное устройство отличается от своих «собратьев» высокой скоростью переключения и хорошей надёжностью. Его проектировали для использования в регулирующих устройствах. Он имеет структуру n-p-n.
Цоколевка
Производят транзистор в корпусе ТО-220С в нем и будет рассматривать его цоколевку. Выводы расположены в таком порядке:
- слева расположена база,
- средний вывод – это коллектор,
- самая правая ножка – это эмиттер.
Часто при нанесении маркировки, первые два символа (стоящую на первом месте цифру и следующую за ней букву) не печатают и остаётся надпись вместо 2SC4106 просто C4106. Внешний вид и расположение ножек показано на рисунке.
Технические характеристики
Начнём знакомство с возможностями C4106 с его максимально допустимых характеристик. При проектировании новых устройств и подборе замены нужно для начала обратить пристальное внимание именно на эти параметры, так как их превышение приведёт к выходу транзистора из строя. Для рассматриваемого транзистора они равны:
- напряжение К — Б при открытом эмиттере VCBO (Uкб max) – 500 В;
- напряжение К – Э при открытой базе VCEO (Uкэ max) –400 В;
- напряжение Э — Б при открытом коллекторе VEBO (Uэб max) – 7 В;
- ток коллектора IC (Iк max) –7 А;
- импульсный ток коллектора ICИ (IK max) – 14 А;
- ток через базу IВ (IБ max) – 3 А;
- максимальная мощность на коллекторе РС (Рк max)
- без теплоотвода – 1,75 Вт;
- с теплоотводом – 50 Вт;
- т-ра кристалла – 150ОС;
- диапазон температур, при которых изделие может сберегаться Tstg – 55 … 150ОС.
От электрических параметров также зависят возможности, а значит и сфера применения 2SC4106. Они измеряются при температуре +25ОС. На результаты тестирования влияют также другие параметры, их можно найти в таблице, расположенной в специальной колонке.
| Электрические характеристики транзистора C4106 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К — Б | IC = 1 мA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 500 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Э | IC=5 мA, RВE= ∞ | V(BR)CEО | 400 | В | ||
| Пробивное напряжение эмиттер-база | IE= 1 мA, IC= 0 | V(BR)EBO | 7 | В | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= 4A; IB= 0.8A | VCE(sat) | 0,8 | В | ||
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= 4A; IB= 0.8A | VВE(sat) | 1,5 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВО= 400 В, IЕ = 0 | ICВO | 10 | мА | ||
| Обратный ток эмиттера | VЕВ= 5 В, IС = 0 | IEBO | 10 | мА | ||
| Статический коэффициент передачи тока | IC= 0.8A; VCE= 5В | hFE1 | 15 | 50 | ||
| IC= 4 A; VCE= 5В | hFE2 | 10 | ||||
| IC=10mA VCE= 5В | hFE3 | 10 | ||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5В, IC= 10 мA, | fT | 20 | МГц | ||
| Выходная емкость | IE= 0 А, VCB=10 В, f=1 мГц | Сob | 80 | пФ | ||
| Время включения | IC=5A, IB1=1A; VCC=200 В, IB2=-2A; RL = 40 Ом | 0,5 | мс | |||
| Время удержания | 2,5 | мс | ||||
| Время выключения | 0,3 | мс | ||||
Компании делят транзисторы C4106 на три группы в зависимости от величины к-та усиления в схеме с ОЭ.
- L от 15 до 30;
- M от 20 до 40;
- N от 30 до 50.
Аналоги
В некоторых случаях C4106 можно попробовать заменить на менее уступающий ему по мощности BUL128. Однако, следует учитывать, что они имеют разные параметры, например, допустимый ток коллектора BUL128 меньше. Также возможна замена на: 2SC4161, MJE13007, 2SC4107. При этом требуется обязательно проверить технические характеристики. В качестве комплементарной пары можно использовать 2SA1579.
Производители
Ниже в списке приведены все datasheet от C4106 и компании которые его выпускают:
В российских магазинах можно приобрести продукцию следующих компаний:
- Inchange Semiconductor;
- Shenzhen SPTECH Microelectronics.
