D1047 согласно техническим характеристикам, является мощным транзистором, способным выдержать большой ток. Его изготавливают по новой технологии BiT-LA (биполярный транзистор для линейного усилителя), в результате чего он отличается хорошими показателями линейности коэффициента усиления. Чаще всего используют в усилителях мощности и коммутационных схемах. Он имеет структуру n-p-n.
Цоколевка
2SD1047 изготавливают в корпусе TO-3PN. Производители, при нанесении маркировки на корпус, часто пропускают два первых символа «2S» и пишут только «D1047». Цоколевка выводов представлена в таком порядке:
- левый – это база;
- средний – коллектор;
- правый – эмиттер.
Наглядно увидеть транзистор, узнать его геометрические размеры и расположение ножек можно по рисунку.
Технические характеристики
Главными параметрами на которые стоит обратить внимание это его предельные величины. При превышении этих значений устройство перестанет работать. Тестирование проводится при температуре +25°С.
Максимальные характеристики D1047:
- предельно допустимое напряжение К-Б не может быть больше VCBO = 160 В;
- максимальное напряжение К-Э должно быть меньше VCEO = 140 В;
- наибольшее возможное напряжение Э-Б не более VEBO = 6 В;
- максимально допустимый постоянный ток коллектора не более IC = 12 А;
- предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (ICP) ICP = 20 А;
- наибольший возможный ток, протекающий через базу IB = 1,2 А;
- предельно возможная мощность Ptot = 100 Вт;
- термическое сопротивление кристалл-корпус Rthj-case = 1,25 °С/Вт;
- Наибольшая возможная температура перехода TJ = 150 оC;
- Диапазон температур при которых может храниться изделие ТSTG = -55 … +150 оC.
Для более детального рассмотрения приводятся его электрические характеристики, все режимы измерения указаны в одноименном столбце таблицы.
Электрические хар-ки транзистора 2SD1047 (при Т = +25 оC) | |||||
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута | VCE = 140 В, IB = 0 | ICEO | 10 | мА | |
Обратный ток эмиттера | VEB = 6 В, IC = 0 | IEBO | 10 | мА | |
Напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = 30 мA, IB = 0 | VCEO | 140 | В | |
Статический коэффициент передачи постоянного тока | VCE = 5 В, IC= 1,0 A
VCE = 5 В, IC = 6,0 A |
hFE
hFE2 |
60
20 |
200 | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 5,0 A, IB = 0,5 A | V CE(sat) | 2,5 | В | |
Напряжение база-эмиттер | VCE = 5,0 V, IC = 1,0 A | V ВE(sat) | 1,5 | В | |
Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5,0 В, IC= 1,0 A | fT | 15 | мГц | |
Выходная емкость коллектора | VCB = -10 В, IE =0,
f=1 МГц |
300 | пФ | ||
Время включения. | VCC = 60 В, IC = 5А,
IB1 = -IB2 = 0.5 A |
ton | 0,22 | мкс | |
Время рассасывания | ts | 4,3 | мкс | ||
Время спада | tf | 0,5 | мкс |
Аналоги
Самыми близкими аналогами D1047 являются следующие транзисторы:
- TIP3055;
- 2SC3182;
- 2SB817;
- 2SC2837;
- 2SC3856;
- TIP33C.
Отечественных устройств с похожими характеристиками нет. Комплементарной парой является 2SB817.
Производители
Ниже в списке вы найдёте основные компании и их datasheet, которые занимаются производством транзистора D1047:
- Mospec Semiconductor;
- Sanyo Semicon Device;
- Savantic;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Wing Shing Computer Components;
- Tiger Electronic;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology.
Отечественные магазины встречается продукция таких фирм: