Характеристики транзистора D1047

D1047 согласно техническим характеристикам, является мощным транзистором, способным выдержать большой ток. Его изготавливают по новой технологии BiT-LA (биполярный транзистор для линейного усилителя), в результате чего он отличается хорошими показателями линейности коэффициента усиления. Чаще всего используют в усилителях мощности и коммутационных схемах. Он имеет структуру n-p-n.

Цоколевка

2SD1047 изготавливают в корпусе TO-3PN. Производители, при нанесении маркировки на корпус, часто пропускают два первых символа «2S» и пишут только «D1047». Цоколевка выводов представлена в таком порядке:

  • левый – это база;
  • средний – коллектор;
  • правый – эмиттер.

Наглядно увидеть транзистор, узнать его геометрические размеры и расположение ножек можно по рисунку.

2SD1047 цоколевка

Технические характеристики

Главными параметрами на которые стоит обратить внимание это его предельные величины. При превышении этих значений устройство перестанет работать. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Максимальные характеристики D1047:

  • предельно допустимое напряжение К-Б не может быть больше VCBO = 160 В;
  • максимальное напряжение К-Э должно быть меньше VCEO = 140 В;
  • наибольшее возможное напряжение Э-Б не более VEBO = 6 В;
  • максимально допустимый постоянный ток коллектора не более IC = 12 А;
  • предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (ICP) ICP = 20 А;
  • наибольший возможный ток, протекающий через базу IB = 1,2 А;
  • предельно возможная мощность Ptot = 100 Вт;
  • термическое сопротивление кристалл-корпус Rthj-case = 1,25 °С/Вт;
  • Наибольшая возможная температура перехода TJ = 150 оC;
  • Диапазон температур при которых может храниться изделие ТSTG = -55 … +150 оC.

Для более детального рассмотрения приводятся его электрические характеристики, все режимы измерения указаны в одноименном столбце таблицы.

Электрические хар-ки транзистора 2SD1047 (при Т = +25 оC)
Параметры Режимы измерения Обозн. min max Ед. изм
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута VCE = 140 В, IB = 0 ICEO 10 мА
Обратный ток эмиттера VEB = 6 В, IC = 0 IEBO 10 мА
Напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута IC = 30 мA, IB = 0 VCEO 140 В
Статический коэффициент передачи постоянного тока VCE = 5 В, IC= 1,0 A

VCE = 5 В, IC = 6,0 A

hFE

hFE2

60

20

200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 5,0 A, IB = 0,5 A V CE(sat) 2,5 В
Напряжение база-эмиттер VCE = 5,0 V, IC = 1,0 A V ВE(sat) 1,5 В
Граничная частота коэффициента передачи тока VCE=5,0 В, IC= 1,0 A fT 15 мГц
Выходная емкость коллектора VCB = -10 В, IE =0,

f=1 МГц

300 пФ
Время включения. VCC = 60 В, IC = 5А,

IB1 = -IB2 = 0.5 A

ton 0,22 мкс
Время рассасывания ts 4,3 мкс
Время спада tf 0,5 мкс

Аналоги

Самыми близкими аналогами D1047 являются следующие транзисторы:

  • TIP3055;
  • 2SC3182;
  • 2SB817;
  • 2SC2837;
  • 2SC3856;
  • TIP33C.

Отечественных устройств с похожими характеристиками нет. Комплементарной парой является 2SB817.

Производители

Ниже в списке вы найдёте основные компании и их datasheet, которые занимаются производством транзистора D1047:

Отечественные магазины встречается продукция таких фирм:

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector