D718, как известно из технических характеристик, является высокочастотным транзистором большой мощности. Он предназначен в первую очередь для использования в аудио аппаратуре и других схемах общего применения. Изготавливается по планарно-эпитаксиальная технологии. Он имеет структуру n-p-n.
Цоколевка
2SD718 производители выпускают в корпусе ТО-3Р, сделанном из пластика. При нанесении маркировки обычно упускают первые два знака «2S» и остаются только «D718». При положении ножек вниз, лицевой стороной к вам, выводы будут размещены в следующем порядке: слева база, потом (в середине) коллектор и справа расположен эмиттер. Внешний вид, цоколевка и геометрические размеры представлены на следующем рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение параметров начнём с предельно допустимых характеристик. Они важны, так как при их превышении транзистор выйдет из строя. Также для долговечности вредна длительная работа при значениях близких к максимальным, из-за постоянного перегрева. Поэтому именно их следует изучать в первую очередь при поиске замены и конструировании новых электронных схем. Они измеряются при температуре +25°С.
Характеристики D718:
- разность потенциалов К-Б VCBO (Uкб max) = 120 В;
- разность потенциалов К-Э VCEO (Uкэ max) = 120 В;
- разность потенциалов Э-Б VEBO (Uэб max) = 5 В;
- ток коллектора IC (Iк max) = 8 А;
- пиковый ток коллектора ICМ (Iк пик) = 16 А;
- ток базы IВ (IБ max) = 0,8 А;
- мощность, на коллекторе РС (Рк max) = 80 Вт;
- коэффициент снижения мощности при температуре выше +25°С 0,64 Вт/°С;
- диапазон рабочих т-р (они те же, что и для хранения) Tstg = -55 … 150°С;
- температурное сопротивление от кристалла к корпусу RθJC = 1,56 °С/Вт.
Электрическими параметрами не следует пренебрегать, так как от них зависят функциональные возможности 2SD718, а значит и сфера его применения. Их измерение производится при стандартной температуре +25°С. Другие важные параметры тестирования приведены в следующей таблице в отдельной колонке «Режимы изм».
| Электрические характеристики транзистора 2SD718 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы изм | Обозн. | мин | тип | макс | Ед. изм |
| Напряжение К — Э(пробой) | IC = 50 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 120 | В | ||
| Ток К – Б (направление обратное) | VCВ = 120 В, IЕ = 0 | ICВO | 10 | мкА | ||
| Ток Э –Б (направление обратное) | VEB = 5 В, IC = 0 | IEBO | 10 | мкА | ||
| Коэффициент усиления | VCE=5 В,IC= 1 A | hFE | 55 | 160 | ||
| Напр. насыщения коллектор-эмиттер | IC = 6 A, IB = 0,6 A | V CE(sat) | 2 | В | ||
| Напр. насыщения база-эмиттер | IC = 5 A, IB = 1 A | V ВE(sat) | 1,8 | В | ||
| Граничная частота к-та передачи тока | VCE= 5 В, IC= 1 A, | fT | 4 | МГц | ||
| Выходная ёмкость на коллекторе | VCB = 10 В, IE = 0,
f= 1 МГц |
Сob | 170 | пФ | ||
Транзисторы серии 2SD718 производители условно делят на две группы по к-ту усиления:
- 2SD718-R — в диапазоне от 55 до 110;
- KTD718-O — в диапазоне от 80 до 160.
Аналоги
2SD718 имеет достаточно много зарубежных аналогов:
- KTD998, 2SC4468;
- 2SC3281, NTE2328,
- FJA4310, 2SC5358;
- FJL4315, 2SC3320;
- 2SC3519, 2SC5949;
- 2SC5242, 2SC2625;
- 2SD998, 2SC6011;
- 2SC2837, FJA4313;
- 2SC3182, 2SC5200;
- 2SC5198.
При подборе замены следует быть внимательным и перед принятием решения следует изучить техническую документацию на оба транзистора. Отечественных устройств близких по характеристикам нет. Комплементарной парой для D718 является 2SB688.
Производители
Крупными производителями 2SD718 являются следующие зарубежные фирмы:
В отечественных магазинах обычно представлена компания Inchange Semiconductor Company.
