Согласно техническим характеристикам, H945 относится к биполярным транзисторам структуры n-p-n, изготовленным из кремния. Считается устройством средней мощности с невысокой скоростью переключения. Чаще всего его устанавливают в УНЧ. Его также можно встретить в коммутационных схемах, если в них не требуется высокая скорость переключения.
Цоколевка
Производится H945 в пластиковом корпусе ТО-92. Если расположить транзистор так, чтобы плоская сторона, та на которую нанесена маркировка, была обращена к вам, а ножки располагались внизу, то выводы будут идти в следующем порядке, слева эмиттер, за ним коллектор и справа база. Основные технические характеристики, внешний вид и распиновка приведены на следующем рисунке.
Технические характеристики
В первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические параметры H945. Их превышение, даже в течении небольшого промежутка времени может привести к выходу транзистора из строя. Также не рекомендуется длительная работа устройства при значениях близких к предельным, так как это может стать причиной сокращения сроков службы и преждевременному выходу его из строя. Все измерения должны проводиться при стандартной температуре, которая равна +25°С.
Максимальные характеристики H945:
- напряжение К -Э VCEO = 60 В;
- напряжение К — Б VCBO = 50 В;
- напряжение Э -Б VEBO = — 5 В;
- ток коллектора IC = 150 мА;
- мощность PC = 250 мВт;
- максимальная температура 150°С;
- диапазон температур TSTG = -55°С … +150°С.
После предельно допустимых рассмотрим электрические характеристики H945. Их также нужно учитывать при рассмотрении кандидатов на замену и конструировании новых устройств. Именно от этих параметров зависят возможности и сфера применения устройства. Их тестирование также проводится при температуре +25°С. Значения других важных для измерения параметров можно посмотреть в отдельной колонке следующей таблицы.
|
Электрические характеристики транзистора H945 (при Т = +25 оC) |
||||||
|
Параметры |
Режимы изм. |
Обозн. |
мин |
тип |
макс |
Ед. изм |
|
Напряжение между К – Б (на пробой) |
IC = -100 мкA, IЕ = 0 |
V(BR)CВO |
60 |
|
|
В |
|
Напряжение между К — Э(на пробой) |
IC = 100 мкA, IВ= 0 |
V(BR)CEО |
50 |
|
|
В |
|
Напряжение между Э — Б(на пробой) |
IE= 100 мкA, IC= 0 |
V(BR)EBO |
5 |
|
|
В |
|
Коэффициент усиления |
VCE = 6 В,IC = 1 мA |
hFE |
90 |
|
600 |
|
|
Напр. насыщения коллектор-эмиттер |
IC = 0,1 A, IB = 10 мA |
V CE(sat) |
|
|
0,3 |
В |
|
Напр. насыщения база-эмиттер |
IC = 0,1 A, IB = 10 мA |
V ВE(sat) |
|
|
1 |
В |
|
Ток К – Б (направление обратное) |
VCВ = 60 В, IЕ = 0 |
ICВO |
|
|
100 |
нА |
|
Ток Э –Б (направление обратное) |
VEB = 5 В, IC = 0 |
IEBO |
|
|
100 |
нА |
|
Граничная частота к-та передачи тока |
VCE= 6 В, IE= 10мA |
fT |
|
250 |
|
МГц |
|
Выходная коллекторная ёмкость |
VCВ= 6 В, IЕ= 0 мA, f = 1МГц |
Cob |
|
3,0 |
|
пФ |
|
Коэффициент шума |
VCE= 6 В, IС= 0,5 мA, f=1МГц, RS=500 Ом |
NF |
|
4,0 |
|
дБ |
В зависимости от к-та усиления транзисторы можно разделить на четыре группы: R (90 … 180), Q (135…270), P (200…400) и K(300…600).
Аналоги
Наиболее подходящими для замены транзисторами являются следующие: 2SC1815, 2SC3198, 2SC3199, 2SC1815, KTC945, KSC1815, KTC3198. Можно также рассмотреть замену на устройства с похожими техническими характеристиками, но упакованными в корпус для навесного монтажа (SOT-23 или SOT-323): 2SC1623, 2SC2712, 2SC4116, 2SC4738, KTC3875, KTC3875S, FJX945. Среди отечественных можно предложить КТ3102, который немного превосходит по мощности рассматриваемый. Комплементарной парой к H945 считается Н733.
Производители и Datasheet
Разработчик и основной производитель H945 – компания SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICE. Именно её продукцию можно найти в отечественных магазинах. Также выпуск данного транзистора освоила фирма Kwang Myoung I.S.
Скачать datasheet можно кликнув на название.
