Почти все характеристики на транзистор IRF740 в официальных datasheet указаны на английском языке, у нас же Вы можете их узнать на русском, а оригиналы скачать если нужно в конце статьи.
Данный n-канальный полевик с изолированным затвором был разработан специально для высоковольтных, высокоскоростных схем, таких как автономные импульсные блоки питания, средства управления двигателями переменного и постоянного тока. Впервые выпущен компанией International Rectifier.
Цоколевка
Производят IRF740 только в корпусе ТО-220 в нем мы и рассмотрим цоколевку. Выводы полевого транзистора расположены в следующем порядке:
- первая слева – это затвор;
- средняя – это сток;
- самая правая – это исток.
Кроме этого сток соединён с металлической частью оболочки. С внешним видом и распиновкой можно познакомиться на рисунке.
Технические характеристики
Ознакомление с техническими характеристиками любого транзистора рекомендуется начинать с его максимально допустимых значений. Их превышении вызовет поломку устройство. Измерялись они при стандартной температуре 25°С. Перечислим их для IRF740:
- разность потенциалов С-И VDS = 400 В;
- постоянный ток стока (VGS = 10 В):
- при температуре +25ОС ID = 10 А;
- при температуре +100ОС ID = 6,3 А;
- пиковый ток стока IDМ = 40 А;
- мощность PD = 125 Вт;
- коэффициент снижения мощности 1,0 Вт/ ОС;
- отпирающая разность потенциалов между затвором истоком VGS = ±20 В;
- пиковый лавинный ток IAR = 10 А;
- энергия, рассеиваемая при лавинном пробое EAR = 13 мДж;
- импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt = 4,0 В/нс;
- Диапазон рабочих температур TJ = -55 ОC … +150ОC.
Теперь рассмотрим электрические параметры.
| Электрические характеристики транзистора IRF740 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы тестирования | Обозн. | min | max | Ед. изм | |
| Напряжение пробоя между С-И | VGS =0В, ID=250мкА | V(BR)DSS | 400 | В | ||
| Коэффициент, показывающий зависимость разности потенциалов пробоя от температуры | ID=1,0 мА | Δ V(BR)DSS /TJ | 0,49 | В/°С | ||
| Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии | VGS = 10 В, ID = 6 A | RDS(on) | 0,55 | Ом | ||
| Пороговая отпирающая разность потенциалов между затвором и истоком | VDS = VGS, ID = 250 мкА | VGS(th) | 2 | 4 | В | |
| Крутизна характеристики | VDS = 25 В, ID = 62 А | GFS | 44 | |||
| Ток утечки З-И в прямом направлении | VGS = 20 В | IGSS | 100 | нА | ||
| Ток утечки З-И в обратном направлении | VGS = -20 В | IGSS | -100 | нА | ||
| Ток утечки С-И при нулевой разности потенциалов на затворе | VDS = 400 В, VGS = 0 В | IDSS | 25 | мкА | ||
| VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125°C | 250 | |||||
| Общий заряд затвора | VGS = 10 В, ID = 10 А, VDS = 320 В | Qg | 63 | нКл | ||
| Заряд между затвором и истоком | VGS = 10 В, ID = 10 А, VDS = 320 В | Qgs | 9,0 | нКл | ||
| Заряд между затвором и стоком | VGS = 10 В, ID = 10 А, VDS = 320 В | Qgd | 32 | нКл | ||
| Время открытия устройства | VDD = 200 В, ID = 10 А,
RG = 9,1 Ом, RD = 20 Ом |
td(on) | 14 | нс | ||
| Время нарастания импульса открытия | tr | 27 | нс | |||
| Время закрытия устройства | td(off) | 50 | нс | |||
| Время спада импульса | tf | 24 | нс | |||
| Индуктивность стока | LD | 4,5 | ||||
| Индуктивность истока | LS | 7,5 | ||||
| Входная ёмкость транзистора | VGS = 0 В,
VDS = 25 В, f = 1,0 МГц |
Ciss | 1400 | пФ | ||
| Выходная ёмкость транзистора | Coss | 330 | пФ | |||
| Обратная передаточная ёмкость | Crss | 120 | пФ | |||
| Длительный ток исток-сток | IS | 10 | А | |||
| Импульсный ток через канал | ISM | 40 | А | |||
| Падение напряжения на диоде | IS = 10 A, VGS = 0 В | VSD | 2,0 | В | ||
| Время обратного восстановления | IF = 20 A, dI/dt=100A/мкс | trr | 370 | 790 | нс | |
| Заряд обратного восстановления | Qrr | 3,8 | 8,2 | нКл | ||
Аналоги
Полным аналогом полевого транзистора irf740 является STP11NK40Z, поэтому если использовать его, то что-либо менять в схеме не потребуется. Можно также заменить его на КП776А или КП740, которые изготавливаются в Минске, на ОАО «Интеграл».
Производители и DataSheet
Как и обещали все datasheet на IRF740 от производителей:
- Nell Jersey Semi-Conductor Products;
- Intersil Corporation;
- Nell Semiconductor;
- ARTSCHIP ELECTRONICS.
Следующие компании поставляют свою продукцию на Российский рынок:
