Транзистор J13009-2, как указанно в технических характеристиках, предназначен для применения в качестве скоростного переключателя высоковольтной индуктивной нагрузки. Кроме этого он применяется в системах управления электродвигателями и импульсных инверторах. От обычного FJP13009 отличается технологией изготовления корпуса и часто маркируется как J13009-2, полное его название FJP13009H2TU. Он является кремниевым устройством с n-p-n структурой.
Цоколевка
Изготавливают J13009-2 в корпусе ТО-220. Если расположить транзистор маркировкой к себе, а ножки так, чтобы они были направлены вниз, то выводы будут расположены в таком порядке: слева будет находиться база, в середине коллектор, а справа эмиттер. С тем, как выглядит транзистор и его геометрическими размерами можно ознакомиться по рисунку.
Технические характеристики
Рассмотрение начнём с предельно допустимых значениях, как наиболее важных. Именно на них нужно обращать внимание в первую очередь при выборе устройства на замену вышедшему из строя и разработке новых схем. Эти параметры не могут быть превышены ни при каких условиях иначе J13009-2 выйдет из строя. Также не рекомендуется длительная эксплуатация при значениях близких или равных максимальным, так как в этом случае снижается надёжность и срок службы транзистора. Тестирование проводится при температуре +25°С.
Для J13009-2 максимальные характеристики равны:
- разность потенциалов между К-Э (пост.) — 400 В;
- разность потенциалов между К-Э (имп.) — 700 В;
- разность потенциалов между Э-Б — 9 В;
- ток коллектора (пост.) — 12 А;
- ток коллектора (имп.) — 24 А;
- ток через базу (пост.) — 6 А;
- ток через базу (имп.) — 12 А;
- ток через эмиттер (пост.) — 18 А;
- ток через эмиттер (имп.) — 36 А;
- мощность на коллекторе (без импользования теплоотвода) — 2 Вт;
- мощность на коллекторе (с стандартным теплоотводом) — 100 Вт;
- термо-сопротивление кристалл-корпус RθJC = 1,25 °С/Вт;
- термо-сопротивление кристалл-воздух RθJА = 62,5 °С/Вт;
- рабочие т-ры Tstg (TJ) = от -65 до +150ОС.
После максимальных, рассмотрим электрические характеристики. Они влияют на функциональность и сферу применения транзистора. Измеряются они при стандартной температуре +25°C. Значения других параметров измерения, способных повлиять на результаты тестирования приведены в специальной колонке «Режимы тестирования».
| Электрические характеристики транзистора J13009-2 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы тестирования | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Поддерживающее напряжение, К-Э | IC = 10 мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 400 | В | ||
| Обратный ток К-Э | VBE = 1,5 В | ICEV | 1 | мА | ||
| VBE = 1,5 В, TC = 100°C | 5 | |||||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | ||
| Статический к-т усиления | VCE = 2 В, IC= 0.5 A
VCE = 2 В, IC = 1 A |
hFE1
hFE2 |
8
6 |
40
30 |
||
| Напряжение насыщения К-Э | IB = 1 А, IC = 5 A
IB = 1,6 А, IC = 8 A IB = 3 B, IC = 12 A IB= 1,6 B, IC=8 A Tc=100℃ |
VСE(sat) | 1
1,5 3 2 |
В
В В В |
||
| Напряжение насыщения база-эмитБ-Этер | IB = 1 А, IC = 5 A
IB = 1,6 А, IC = 8 A IB=1,6 B, IC=8 A, Tc=100℃ |
VСE(sat) | 1,2
1,6 1,5 |
В
В В |
||
| Время задержки | IC = 8 A, VCC = 125 В | td | 0,06 | 0,1 | мкс | |
| Время нарастания | tr | 0,45 | 1 | мкс | ||
| Время закрытия | tf | 0,2 | 0,7 | мкс | ||
| Время рассасывания | tS | 1,3 | 3 | мкс | ||
| Выходная ёмкость | VCB=10В, IE=0, f= 0,1 МГц | Cob | 180 | пФ | ||
Аналоги
Полным аналогом транзистору J13009-2 является MJE13009. Достаточно близкие по техническим характеристикам рассматриваемому устройству считаются:
- BUT12A;
- D209L;
- 2SC2335;
- BUJ106A.
Но перед заменой следует ознакомиться с параметрами обеих устройств и только после этого принимать решение.
Производители
Изготавливает J13009-2 американская компания Fairchild Semiconductor (скачать datasheet можно кликнув на название) Поэтому в отечественных магазинах можно найти продукцию только этой фирмы.
