Согласно заявленным изготовителем техническим характеристикам, КТ815Г – это кремниевый, мощный транзистор с n-p-n структурой. Изготавливают с использованием эпитаксиальной технологии. Обычно его устанавливают в электронные устройствах широкого применения в качестве ключа. Иногда встречается в УНЧ, а также в преобразовательных и импульсных схемах.
Цоколевка
Цоколевку транзистора КТ815Г рассмотрим в двух типах корпусов: КТ-27 (по международным стандартам он называется ТО-126) и КТ-89 (иностранное наименование DPAK). При упаковке в КТ-27 ножки будут идти в следующем порядке:
- с правой стороны – эмиттер;
- в середине вывод коллектора;
- с левого края база.
При использовании КТ-89 их назначение следующее:
- база;
- коллектор;
- эмиттер.
Внешний вид устройства, его размеры, распиновка и основные параметры приведены на рисунке выше.
Технические характеристики
На первом месте по важности стоят предельные технические характеристики, так как они показывают максимальные параметры, при которых можно эксплуатировать транзистор. Также нежелательна длительная эксплуатация КТ815Г при значениях равным или близким к допустимым. Они измеряются при стандартной комнатной температуре +25°С
Для КТ815Г эти характеристики равны:
- напряжение К-Э:
- при сопротивлении между базой и эмиттером ≤100 Ом Uкэ max = 100 В;
- при сопротивлении между базой и эмиттером равным бесконечности (разрыв) Uкэ max = 80 В;
- напряжение Э-Б Uэб max = 5 В;
- ток через коллектор Iк max = 1,5 А;
- импульсный ток через коллектор (время импульса <10 мс, Q ≥100) Iки max = 3 А;
- ток через базу (постоянный) Iб max = 0,5 А;
- мощность:
- с теплоотводом – 10 Вт;
- без теплоотвода – 1 Вт;
- max температура n-p перехода 125°С;
- рабочая т-ра от -40 до +100°С.
Далее ознакомимся с электрическими параметрами. Они влияют на возможности транзистора и сферу его использования и значит их нужно знать при разработке новых устройств, и подборе устройства на замену. Важные параметры, которые оказывают влияние на конечные результаты, указаны в колонке «Режимы тестирования».
| Электрические х-ки КТ815Г (при Т = +25 оC) | ||||||
| Название | Обозн | Режимы тестирования | min | тип | мах | Ед. измер. |
| К-т усиления транзистора | h21э | Uкб=2 B, Iэ=150 мA,
Т = +25°С |
30 | |||
| Uкб=2 B, 150 мA,
Т = +40°С |
20 | |||||
| Граничная частота | fгр | Uкэ=5 B, Iэ=0,03 A | 3 | МГц | ||
| Напряжение К — Э | Uкэо гp | Iэ=50 мA, tи=300мкс, Q ≥ 100 | 60 | В | ||
| Напряжение К — Э | Uкэ нас | Iк=0,5 A, Iб=0,05 A | 0,2 | 0,6 | В | |
| Напряжение Б — Э | Uбэ нас | Iк=0,5 A, Iб=0,05 A | 1,2 | В | ||
| Обратный ток через коллекторный переход | Iкбо | UКБ = 40 В,
Тк= — 40…+ 25ОС |
0,05 | мА | ||
| UКБ = + 40 В,
Тк = + 100ОС |
1 | мА | ||||
| Входное сопротивление | h11э | Uкэ = 5 В, Iк=500 мкА,
f=800 Гц |
0,8 | кОм | ||
| Ёмкость коллектора | ск | Uкэ = 5 В, f=465 Гц | 60 | пФ | ||
| Ёмкость эмиттера | сэ | Uэб =0,5 В | 75 | пФ | ||
Кроме технических характеристик в технической документации, предоставленной производителем, также приводятся требования, которые необходимо соблюдать во время эксплуатации КТ815Г. Так паять можно на расстоянии до 5 мм от пластикового корпуса, припоем, нагретым до т-ры не выше +250°С.
Изгибать ножки допускается на расстоянии более 5 мм, при этом радиус изгиба от 1,5 до 2 мм.
Аналоги
В качестве аналога КТ815Г можно назвать такие зарубежные транзисторы:
- BD139;
- TIP29C.
Имеются также отечественные аналоги:
- КТ8727В;
- КТ961А.
Есть также комплементарная пара – КТ814Г.
Производители
Изготовлением транзистора КТ815Г занимаются две компании в РФ – АО «Кремний» из г. Брянск и «Искра», расположенный в г. Ульяновск. В Белоруссии его производство налажено на «Интеграл» находящийся в г. Минск.
