Технические характеристики на транзистора говорят что он является кремниевым, биполярный с n-p-n переходом. Может устанавливаться в импульсных блоках питания, пусковых устройствах. А также в инверторах, системах запуска и управления электродвигателями.
Цоколевка
Транзистор MJE13002 можно встретить в трёх различных типах корпусов:
- ТО-126;
- ТО-220;
- ТО-92.
Если поместить на его так чтобы маркировка была обращена к вам лицевой стороной, а ножки смотрели вниз то в упаковках ТО-126, ТО-220 выводы будут расположены в следующем порядке: слева база, в середине коллектор и справа эмиттер. В ТО-92 порядок такой (слева направо): эмиттер, коллектор, база. Внешний вид и цоколевка 13002 показана на рисунке.
Технические характеристики
Все измерения параметров проводятся при температуре +25°С.
Максимальные характеристики транзистора 13002:
- напряжение К-Б (поддерживающее) VCBO (SUS) = 300 В;
- напряжение К-Э VCEV = 600 В;
- напряжение Э-Б VEBO = 9 В;
- ток коллектора IC = 1,5 А;
- импульсный ток коллектора ICМ = 3 А;
- ток через базу IВ = 0,75 А;
- импульсный ток через базу IВМ = 1,5 А;
- ток через эмиттер IЕ = 2,25 А;
- импульсный ток через эмиттер IЕМ = 4,5 А;
- мощность (без радиатора) РС = 1,4 Вт;
- коэффициент снижения мощности для температур выше +25°С без радиатора 11,2 мВт/°С;
- мощность (с радиатором) РС = 40 Вт;
- коэффициент снижения мощности для температур выше +25°С с радиатором 320 мВт/°С;
- диапазон рабочих т-р Tstg = -65 … 150ОС;
Теперь требуется рассмотреть электрические параметры. Они тестировались при температуре +25°С. Остальные важные характеристики приведены в строке «Режимы тестирования».
Электрические характеристики транзистора MJE13002 (при Т = +25 оC) | |||||
Параметры | Режимы тестирования | Обозн. | min | max | Ед. изм |
Поддерживающая разность потенциалов К-Э, база разомкнута | IC = 10мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 300 | В | |
Обратный ток К-Э | VBE = 1,5 В | ICEV | 1 | мА | |
VBE = 1,5 В, Т = 100°С | 5 | мА | |||
Обратный ток Э-Б | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | |
Статический коэффициент передачи тока | VCE = 2 В, IC= 0.5 A
VCE = 2 В, IC = 1 A |
hFE1
hFE2 |
8
5 |
40
25 |
|
Разность потенциалов насыщения К-Э | IB = 0,1 А, IC = 0,5 A
IB = 0,25 А, IC = 1 A IB = 0,5 А, IC = 1,5 A IB=0,25B,IC=1A,Tc=100℃ |
V СE(sat) | 0,5
1 3 1 |
||
Разность потенциалов насыщения Б-Э | IB = 0,1 А, IC = 0,5A
IB = 0,25 А, IC = 1A IB=0,25А, IC=1A Tc=100℃ |
V ВE(sat) | 1
1,2 1,1 |
В
В В |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока | IC = 100 мA, VCE = 10 В,
f = 1 мГц |
fт | 4 | мГц | |
Выходная ёмкость | VCB=10В, IE=0, f=0,1мГц | Сob | 21 | пФ | |
Время задержки | VCC=125V, IC=1A, IB1=IB2=0.2A, tp=25ms | td | 0,1 | мс | |
Время нарастания | tr | 1 | мс | ||
Время хранения | ts | 4 | мс | ||
Время падения | tf | 0,7 | мс | ||
Время хранения | VClamp=300V, IC=1A,
IB1=0.2A, VBE(off)=5V, Tc=100ºC |
tsv | 4 | ||
Время перехода | tc | 0,75 | |||
Время отключения | tf | 0,15 | |||
Термосопротивление, кристалл — корпус | RθJC | 3,12 | ℃/W | ||
Термосопротивление, кристалл – окружающая среда | RθJA | 89 | ℃/W |
Некоторые компании производители делят транзисторы на группы в зависимости от коэффициента усиления hFE1:
A | B | C | D | E | F | |
hFE1 | от 8 до 16 | от 15 до 21 | от 20 до 26 | от 25 до 31 | от 30 до 36 | от 35 до 40 |
Аналоги
Единственным известным транзистором, походящим по параметрам, считается ST13003. Однако по некоторым электрическим характеристикам данные устройства немного отличаются, но расположение ножек у них полностью идентичны. Перед принятием решения о замене требуется вначале изучить техническую документацию обеих устройств, и на основании этого можно принимать окончательное решение. Отечественным аналогом 13002 считается КТ8170Б1.
Производители
Изготавливают MJE13002 на следующих зарубежных фирмах:
- Micro Commercial Components;
- Savantic;
- Nanjing International Group;
- Mospec Semiconductor;
- SEMTECH ELECTRONICS;
- Unisonic Technologies.
Купить в отечественных магазинах можно транзисторы, изготовленные компаниями:
Скачать datasheet на 13002 можно кликнув на название компании.