Кремниевый, биполярный, эпитаксиально-планарный транзистор SS8050, по техническим характеристикам может применяться в высокоскоростных переключающих конструкциях и усилительных устройствах. Структура n-p-n. Его отличительной особенностью является сравнительно высокий ток коллектора.
Цоколевка
Транзистор SS8050 производят в двух типах упаковок: ТО-92 и SOT-23. В корпусе для навесного монтажа он маркируется как «Y1». В TO-92 его ножки расположены в таком стандартном порядке, то есть начиная слева и двигаясь направо: эмиттер, далее база и в конце коллектор. Внешний вид и расположение выводов можно увидеть на рисунке.
Технические характеристики
Максимальные характеристики SS8050:
- разность потенциалов К-Б: VCBO = 40 В;
- разность потенциалов К-Э: VCEO = 25 В;
- разность потенциалов Э-Б: VEBO = 5 В;
- ток коллектора IC = 1,5 А;
- мощность, на коллекторе
- в корпусе ТО-92: РС = 1 Вт;
- в корпусе SOT-23: РС = 300 мВт.
- к-т ументшения мощности при увеличении температуры
- в корпусе ТО-92: 5 мВт/°С;
- в корпусе SOT-23: 2,8 мВт/°С.
- тепловое сопротивление переход-корпус 83,3 °С/Вт;
- т-ра кристалла: Tj = 150°С;
- диапазон т-р хранения и работы: Tstg = -55 … 150°С.
Важны и электрические параметры. Они показывают возможности транзистора, а значит и сферу его применения. Их измерение производится при температуре +25°С. Остальные параметры, способные повлиять на результаты измерения можно найти в отдельной колонке таблицы.
| Электрические параметры SS8050 (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Режимы тест. | Обозн. | мин | макс | Ед. изм |
| Пробойная разность потенциалов между К – Б | IC = 100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 40 | В | |
| Пробойная разность потенциалов между К — Э | IC = 0,1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 25 | В | |
| Пробойная разность потенциалов между Э — Б | IE= 100 мA, IC= 0 | V(BR)EBO | 5 | В | |
| Напряжение К-Э в режиме насыщения | IC=800мA, IB=80мA | V CE(sat) | 0,5 | В | |
| Напряжение Б-Э в режиме насыщения | IC=800мA, IB=80мA | V ВE(sat) | 1,2 | В | |
| Ток К – Б | VCВ = 40 В, IЕ = 0 | ICВO | 0,1 | нА | |
| Ток К – Э | VCВ = 20 В, IВ = 0 | ICЕO | 0,1 | нА | |
| Ток Э –Б | VEB = 5 В, IC = 0 | IEBO | 0,1 | нА | |
| К-т усиления тока | VCE=1 В,IC= 0,1 A | hFE | 120 | 400 | |
| VCE=1 В,IC= 0,8 A | 40 | ||||
| Граничная частота | VCE=10В, IC= 50мA, f=30 МГц | fT | 100 | МГц | |
Транзисторы SS8050 делятся на три части, в зависимости от к-та усиления.
- L – к-т усиления от 120 до 200;
- H – к-т усиления от 200 до 350;
- J – к-т усиления от 300 до 400.
Аналоги
Заменить его можно на такие зарубежные транзисторы:
- 2SC1008;
- 2SD471A;
- KSC1008;
- KSP42;
- MPS650;
- MPSW06.
Существуют также и российские аналоги SS8050:
- КТ968В;
- КТ6114.
Комплементарная пара для рассматриваемого устройства является SS8550.
Производители
Основные зарубежные компании и их datasheet, изготавливающие транзистор SS8050:
- Jiangsu High diod Semicnductor;
- Inchange Semicnductor Limited ТО-92 и SOT-23;
- SeCoS Halbleitrtechnolge GmbH;
- Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
- DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
- SHIKUES Electronics;
- Diode Semicndyctor Korea;
- Jiangsu Changjang Electrnics Technology;
- Wing Shing Compyter Compnents;
- First Silicon.
В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких фирм:
