Характеристики транзистора SS8050

Кремниевый, биполярный, эпитаксиально-планарный транзистор SS8050, по техническим характеристикам может применяться в высокоскоростных переключающих конструкциях и усилительных устройствах. Структура n-p-n. Его отличительной особенностью является сравнительно высокий ток коллектора.

Цоколевка

Транзистор SS8050 производят в двух типах упаковок: ТО-92 и SOT-23. В корпусе для навесного монтажа он маркируется как «Y1». В TO-92 его ножки расположены в таком стандартном порядке, то есть начиная слева и двигаясь направо: эмиттер, далее база и в конце коллектор. Внешний вид и расположение выводов можно увидеть на рисунке.

SS8050 цоколевка

Технические характеристики

Максимальные характеристики SS8050:

  • разность потенциалов К-Б: VCBO = 40 В;
  • разность потенциалов К-Э: VCEO = 25 В;
  • разность потенциалов Э-Б: VEBO = 5 В;
  • ток коллектора IC = 1,5 А;
  • мощность, на коллекторе
  • в корпусе ТО-92: РС = 1 Вт;
  • в корпусе SOT-23: РС = 300 мВт.
  • к-т ументшения мощности при увеличении температуры
  • в корпусе ТО-92: 5 мВт/°С;
  • в корпусе SOT-23: 2,8 мВт/°С.
  • тепловое сопротивление переход-корпус 83,3 °С/Вт;
  • т-ра кристалла: Tj = 150°С;
  • диапазон т-р хранения и работы: Tstg = -55 … 150°С.

Важны и электрические параметры. Они показывают возможности транзистора, а значит и сферу его применения. Их измерение производится при температуре +25°С. Остальные параметры, способные повлиять на результаты измерения можно найти в отдельной колонке таблицы.

Электрические параметры SS8050 (при Т = +25 оC)
Параметры Режимы тест. Обозн. мин макс Ед. изм
Пробойная разность потенциалов между К – Б IC = 100 мкA, IЕ = 0 V(BR)CВO 40 В
Пробойная разность потенциалов между К — Э IC = 0,1 мA, IВ= 0 V(BR)CEО 25 В
Пробойная разность потенциалов между Э — Б IE= 100 мA, IC= 0 V(BR)EBO 5 В
Напряжение К-Э в режиме насыщения IC=800мA, IB=80мA V CE(sat) 0,5 В
Напряжение Б-Э в режиме насыщения IC=800мA, IB=80мA V ВE(sat) 1,2 В
Ток К – Б V= 40 В, IЕ = 0 ICВO 0,1 нА
Ток К – Э V= 20 В, IВ = 0 ICЕO 0,1 нА
Ток Э –Б VEB = 5 В, IC = 0 IEBO 0,1 нА
К-т усиления тока VCE=1 В,IC= 0,1 A hFE 120 400
VCE=1 В,IC= 0,8 A 40
Граничная частота VCE=10В, IC= 50мA, f=30 МГц fT 100 МГц

Транзисторы SS8050 делятся на три части, в зависимости от к-та усиления.

  • L – к-т усиления от 120 до 200;
  • H – к-т усиления от 200 до 350;
  • J – к-т усиления от 300 до 400.

Аналоги

Заменить его можно на такие зарубежные транзисторы:

  • 2SC1008;
  • 2SD471A;
  • KSC1008;
  • KSP42;
  • MPS650;
  • MPSW06.

Существуют также и российские аналоги SS8050:

  • КТ968В;
  • КТ6114.

Комплементарная пара для рассматриваемого устройства является SS8550.

Производители

Основные зарубежные компании и их datasheet, изготавливающие транзистор SS8050:

В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких фирм:

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector